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N4030L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: N4030L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N4030L-VB

N4030L-VB概述

    N4030L N-Channel 40V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N4030L 是一款适用于 OR-ing、服务器及 DC/DC 转换器的 N 沟道 40V(漏源)功率 MOSFET。该产品采用先进的 TrenchFET® 技术制造,具备高可靠性、低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于电源管理和工业自动化等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 40 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.5 | - | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 | µA |
    | 开态漏极电流 | ID(on) | - | 90 | - | A |
    | 开态漏源电阻 | RDS(on) | 0.013 | - | 0.01 | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | 725 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 570 | - | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | 42 | 62 | - | nC |
    | 峰值漏极电流 | IDM | - | - | 200 | A |
    | 连续源漏二极管电流 | IS | - | - | 120 | A |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:确保了低导通电阻和高效率。
    2. 全检测试:所有产品都经过 Rg 和 UIS 测试,保证了产品的质量和可靠性。
    3. 符合 RoHS 标准:产品符合欧盟 RoHS 指令,环保且安全。

    应用案例和使用建议


    N4030L 主要应用于 OR-ing、服务器及 DC/DC 转换器。在服务器环境中,它能够有效管理高电流并提供稳定的电力供应。对于 OR-ing 应用,其低导通电阻特性可以显著减少能耗。
    使用建议:
    1. 在高温环境下使用时,建议降低工作电流以避免过热。
    2. 确保电路设计中加入了合适的散热措施,以保持器件正常运行。

    兼容性和支持


    该产品采用 TO-252 封装,便于焊接和组装。厂商提供了详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开机时出现不稳定现象。
    解决方案:检查栅源电压是否符合要求,确保没有噪声干扰。
    2. 问题:长时间使用后温度过高。
    解决方案:增加散热措施,如外加散热片或优化 PCB 布局。

    总结和推荐


    N4030L N-Channel 40V MOSFET 是一款高性能的产品,具有低导通电阻、高可靠性和良好的散热性能。它特别适合于高电流和高可靠性要求的应用场景。推荐在需要高效能电力管理的场合中使用此产品。
    本技术手册提供了 N4030L 的详细技术参数和应用建议,确保用户能够在多种应用场景中充分利用该产品的优势。如果您有任何疑问或需要进一步技术支持,请联系我们的客服中心。

N4030L-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

N4030L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N4030L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 N4030L-VB N4030L-VB数据手册

N4030L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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