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FS530A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: FS530A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FS530A-VB

FS530A-VB概述

    FS530A-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FS530A-VB 是一款高性能的 N-Channel 100-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于各种电力转换系统中,如电源管理、电机驱动和照明控制等领域。这款MOSFET具备高可靠性、低导通电阻以及卓越的热稳定性,使其成为高压应用的理想选择。

    2. 技术参数


    FS530A-VB 具备以下技术规格和性能参数:
    - 工作电压:VDS(漏极-源极电压)最大值为 100 V
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS = 10 V 时为 0.086 Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为 72 nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):11 nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):32 nC
    - 最大脉冲电流(IDM):68 A
    - 最大重复性雪崩能量(EAS):720 mJ
    - 最大单脉冲雪崩电流(IAR):17 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAR):4.8 mJ
    - 最大功率耗散(PD):48 W
    - 结温范围(TJ):-55 °C 到 +175 °C
    - 结-壳(漏极)热阻(RthJC):3.1 °C/W

    3. 产品特点和优势


    FS530A-VB 的关键优势如下:
    - 隔离封装:采用完全封装设计,确保高电压隔离(2.5 kVRMS)和较长的爬电距离(4.8 mm),提升了系统的安全性和可靠性。
    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为 0.086 Ω,在额定条件下具有出色的导电性能,显著降低了功耗。
    - 动态dv/dt额定值:能够承受较高的dv/dt变化率,适用于高速开关应用。
    - 高耐热性:能够在高达175 °C的极端温度下正常工作,具有良好的热稳定性。
    - 低热阻:RthJC 值为 3.1 °C/W,能够有效散热,保证长时间稳定运行。
    - 无铅材料:符合RoHS标准,对环境友好。

    4. 应用案例和使用建议


    FS530A-VB 在多种场合中表现出色,具体包括但不限于:
    - 开关电源:作为高频开关器件,用于提升电源转换效率。
    - 电机驱动:适用于驱动各种类型的电机,尤其是需要高可靠性和低损耗的应用场景。
    - 电池管理系统:由于其高电流处理能力,可以用于电池充电和放电管理。
    使用建议:
    - 为了充分利用其动态dv/dt特性,建议在设计电路时保持较低的寄生电感,以减少电磁干扰。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热措施,确保MOSFET在安全的工作范围内运行。
    - 当用于高频开关应用时,应注意并联或串联适当的滤波元件,以抑制噪声和提高系统稳定性。

    5. 兼容性和支持


    FS530A-VB 具有广泛的兼容性,适用于多种设备和系统。厂家提供详细的安装扭矩指导(10 lbf·in 或 1.1 N·m),以确保可靠的机械连接。此外,供应商还提供全面的技术支持,包括安装指南、故障排除手册和技术咨询等,帮助客户解决实际使用中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    根据手册提供的常见问题及解决方案,列出了一些用户可能会遇到的问题及其解决办法:
    - 问题:MOSFET过热
    - 解决方案:增加散热器,优化电路布局,减少寄生电感和电容。

    - 问题:MOSFET无法正常开启
    - 解决方案:检查栅极驱动信号是否正确,确认VGS在阈值电压以上。

    - 问题:MOSFET失效
    - 解决方案:检查过流保护机制是否工作正常,确认电源电压在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    FS530A-VB 是一款高效能、高可靠性的 N-Channel 100-V MOSFET,适合多种高压应用。其独特的隔离封装、低导通电阻和高耐热性使它在同类产品中脱颖而出。对于追求高性能和稳定性的用户,我们强烈推荐使用 FS530A-VB。然而,使用前请务必阅读完整的数据手册和技术规范,以确保满足特定应用的需求。

FS530A-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FS530A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FS530A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FS530A-VB FS530A-VB数据手册

FS530A-VB封装设计

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