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QM0008J-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,2A,RDS(ON),246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: QM0008J-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM0008J-VB

QM0008J-VB概述

    QM0008J-VB N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    QM0008J-VB 是一种N沟道100V(D-S)MOSFET,属于TrenchFET® Power MOSFET系列。其主要功能是提供低导通电阻(RDS(on)),适用于多种应用场合,如直流/交流转换器、负载开关以及LCD电视中的LED背光。这种器件具有高效率、低功耗的特点,适合需要高效能功率控制的应用。

    2. 技术参数


    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):100V
    - 门极源极阈值电压(VGS(th)):1.2V 至 2.8V
    - 门极漏极电荷(Qgd):1.4Ω
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.240Ω (VGS = 10V, ID = 1.5A)
    - 饱和电流(ID(on)):5A (VDS ≥ 5V, VGS = 4.5V)

    - 动态参数
    - 开启延时时间(d(on)):30ns (VDD = 50V, RL = 39Ω, ID = 1.3A, VGEN = 4.5V, Rg = 1Ω)
    - 关断延时时间(d(off)):17ns (VDD = 50V, RL = 39Ω, ID = 1.3A, VGEN = 10V, Rg = 1Ω)
    - 热参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA):75°C/W(最大)
    - 最大结到引脚热阻(RthJF):40°C/W(最大)
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):100V
    - 门极源极电压(VGS):±20V
    - 持续源极漏极二极管电流(IS):2.1A(TC = 25°C)

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:低导通电阻(RDS(on))意味着在相同条件下,能有效降低功耗,提高系统整体效率。
    - 高可靠性:所有器件均经过100% Rg和UIS测试,确保产品质量。
    - 广泛的应用范围:适用于多种功率管理和控制应用,包括但不限于直流/交流转换器、负载开关和LED背光控制。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:用于LCD电视的LED背光控制系统中,能有效地控制LED电流,保证背光效果的一致性。
    - 使用建议:在使用QM0008J-VB时,需注意散热设计,特别是在大电流应用中,应确保良好的散热条件,以避免因过热导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET为SOT-23封装,可轻松集成到现有电路板设计中。它与标准FR4基板良好兼容,便于表面贴装。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和技术咨询热线(400-655-8788),确保用户能够获得及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何确保QM0008J-VB在高温环境下稳定工作?
    - A:确保在高温环境下,电路板设计有足够的散热措施。如果散热不佳,可以考虑增加散热片或使用散热更好的材料。
    - Q:如何测量QM0008J-VB的漏源电阻(RDS(on))?
    - A:使用万用表或专门的电阻测试仪,在适当的栅极电压下测量。确保测量条件符合器件手册中的测试条件。

    7. 总结和推荐


    QM0008J-VB凭借其低导通电阻、高可靠性以及广泛的应用范围,是一款高性能的N沟道100V MOSFET。无论是应用于家用电器还是工业设备中,都表现出色。建议在需要高效功率控制的应用中采用该器件,同时在设计和使用过程中注重散热设计,以确保最佳性能。

QM0008J-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 246mΩ@10V,260mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM0008J-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM0008J-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM0008J-VB QM0008J-VB数据手册

QM0008J-VB封装设计

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