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8N60G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: 8N60G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8N60G-TA3-T-VB

8N60G-TA3-T-VB概述

    8N60G-TA3-T-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    8N60G-TA3-T-VB 是一款高性能的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备中。这种 MOSFET 具有低栅极电荷(Qg)和出色的开关性能,适用于各种电源管理应用,如开关模式电源(SMPS)、不间断电源系统(UPS)和高功率快速切换场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 600 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.780 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1400 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 180 | - | pF |
    | 门源电荷 | Qg | - | 49 | - | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 13 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 30 | - | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):这使得驱动要求简单,降低了驱动电路的设计复杂度和成本。
    - 增强的栅极耐久性:具备优异的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压、电流:确保在各种应用条件下性能稳定可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:常用于开关模式电源、不间断电源及高频电源开关应用。
    - 使用建议:
    - 在高频率开关应用中,选择合适的栅极电阻以优化开关时间和降低损耗。
    - 确保散热良好,避免过热导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品与多数标准的栅极驱动电路兼容,易于集成到现有系统中。
    - 制造商提供详细的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用该产品的优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:开启延迟时间长。
    - 解决方案:检查栅极电阻值,适当调整以缩短延迟时间。
    - 问题:导通电阻偏高。
    - 解决方案:检查是否超出了工作温度范围,确保工作在规定的温度范围内。

    7. 总结和推荐


    8N60G-TA3-T-VB MOSFET 在开关模式电源应用中表现出色,具有低栅极电荷、优秀的耐久性和可靠的电容特性。它非常适合需要高效、高可靠性的电源管理系统。强烈推荐给那些需要高性能 MOSFET 的工程师和技术人员。
    如需进一步了解或购买该产品,欢迎联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

8N60G-TA3-T-VB参数

参数 值
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 8A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

8N60G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

8N60G-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8N60G-TA3-T-VB 8N60G-TA3-T-VB数据手册

8N60G-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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