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NTB5412NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: NTB5412NT4G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTB5412NT4G-VB

NTB5412NT4G-VB概述

    NTB5412NT4G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTB5412NT4G 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有极高的耐温性能和出色的开关特性。该产品采用先进的TrenchFET®技术,确保了低导通电阻(RDS(on))和高可靠性。主要应用领域包括电源管理、电机驱动、LED照明以及其他需要高效功率转换的应用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 60 | - | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1 | 3 | - | V |
    | 栅极-源极漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 50 | µA |
    | 导通漏极电流 | ID(on) | 60 | - | - | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.011 | - | 0.020 | Ω |
    | 前向跨导 | gfs | 60 | - | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | 4300 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 470 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 225 | - | pF |

    产品特点和优势


    - 高温耐受性:支持高达175°C的结温,使其适用于高温环境下使用。
    - 低导通电阻:在各种温度条件下均能保持较低的导通电阻,提高能效。
    - 高可靠性和稳定性:采用TrenchFET®技术,保证长期使用的稳定性和可靠性。
    - 快速开关速度:极短的开关延迟时间和上升时间,提高电路效率。

    应用案例和使用建议


    应用场景:该产品常用于电源管理模块中,如AC-DC变换器、DC-DC变换器以及电动机驱动控制等。
    使用建议:为了充分利用其特性,在设计电路时应注意散热问题,确保MOSFET工作在最佳温度范围内。同时,选择合适的栅极驱动器以优化开关性能。

    兼容性和支持


    该产品与常见的D2PAK封装兼容,适用于多种电子设备。厂商提供详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下导通电阻增加。
    解决方法:通过优化散热系统,确保MOSFET工作在安全温度范围内。

    - 问题2:栅极漏电流过高。
    解决方法:检查并更换可能损坏的栅极驱动电路。

    总结和推荐


    NTB5412NT4G是一款具备高性能、高可靠性的N沟道MOSFET。其卓越的高温耐受性和低导通电阻使得它成为电源管理和电机控制领域的理想选择。无论是用于工业还是消费电子应用,该产品都能提供出色的表现。强烈推荐给寻求高效能、高可靠性的电源管理解决方案的设计工程师们。

NTB5412NT4G-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 75A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTB5412NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTB5412NT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTB5412NT4G-VB NTB5412NT4G-VB数据手册

NTB5412NT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
800+ ¥ 2.9798
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