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ZVNL120GTC-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,1A,RDS(ON),1100mΩ@10V,1350mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: ZVNL120GTC-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVNL120GTC-VB

ZVNL120GTC-VB概述

    ZVNL120GTC N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZVNL120GTC 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有多种优势特性。它适用于广泛的电力转换应用,如电源管理、电机驱动和照明控制等。这款 MOSFET 主要用于电力电子系统中,以其快速开关特性、简单驱动要求和并联便捷性而著称。

    技术参数


    ZVNL120GTC 的关键技术参数如下:
    - 漏源电压(VDS):200V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(ID):1.0A (TC=25°C),0.8A (TC=100°C)
    - 脉冲漏电流(IDM):5.0A
    - 最大功率耗散(PD):3.1W (TC=25°C)
    - 输入电容(Ciss):140pF
    - 输出电容(Coss):53pF
    - 反向转移电容(Crss):15pF
    - 总栅极电荷(Qg):8.2nC
    - 栅极至源极电荷(Qgs):1.8nC
    - 栅极至漏极电荷(Qgd):4.5nC
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):25μA (VDS=200V, VGS=0V)
    - 导通电阻(RDS(on)):1.2Ω (VGS=10V)

    产品特点和优势


    1. 动态 dv/dt 额定值:该 MOSFET 具备动态dv/dt额定值,能够在高dv/dt条件下稳定运行。
    2. 重复雪崩额定值:重复雪崩电流(IAR)为0.96A,能量(EAR)为0.31mJ,这使其能在严苛的应用环境下保持性能稳定。
    3. 快速开关特性:快速开关时间有助于降低功耗和提高效率。
    4. 易于并联:多个器件可以并联使用,以提高电路的整体性能。
    5. 简单的驱动需求:只需少量外部元件即可实现有效的驱动。

    应用案例和使用建议


    该 MOSFET 在多种应用中表现出色,例如电源转换器、直流电动机驱动、照明控制系统等。对于使用建议:
    - 热设计:确保良好的散热,以避免因过热导致的损坏。
    - 电路布局:采用低寄生电感和地平面设计,减少干扰。
    - 参数优化:根据具体应用场景调整驱动电阻(RG)以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    ZVNL120GTC 通常与其他标准电子元件兼容,适合在常见的电路板设计中使用。VBsemi 提供技术支持和服务,包括详细的技术文档、在线支持和售后咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 温度过高:改善散热设计,增加散热片或风扇。
    2. 开关频率不理想:检查驱动电阻(RG)设置,优化驱动电路。
    3. 电压波动大:使用稳压电路或稳压电源以确保稳定供电。

    总结和推荐


    ZVNL120GTC N-Channel MOSFET 是一款功能强大且高效的电子元件,适用于多种电力电子应用。其快速开关特性、易于并联和高可靠性使它成为众多设计的理想选择。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的电力转换应用中使用此产品。

ZVNL120GTC-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1100mΩ@10V,1350mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Id-连续漏极电流 1A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVNL120GTC-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVNL120GTC-VB数据手册

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ZVNL120GTC-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
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2500+ ¥ 1.3243
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