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NTDV5805NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: NTDV5805NT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTDV5805NT4G-VB

NTDV5805NT4G-VB概述

    NTDV5805NT4G N-Channel 4-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTDV5805NT4G 是一款采用沟槽型(TrenchFET®)技术的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),特别适用于同步整流及电源供应系统。该器件具有高性能、高可靠性等特点,适用于多种电源转换应用。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):4V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS = 10V 时为 0.0050Ω
    - 在 VGS = 4.5V 时为 0.0065Ω
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C 时为 85A
    - TC = 70°C 时为 70A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):250A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):320mJ
    - 总栅极电荷(Qg):80nC(典型值)
    - 最高结温(TJ):150°C
    - 热阻(RthJA):32°C/W
    - 封装形式:TO-252

    产品特点和优势


    NTDV5805NT4G MOSFET 的主要特点包括:
    - 沟槽型技术:提高开关速度和降低导通电阻。
    - 100% 雪崩测试和栅极电阻测试:确保器件的可靠性和稳定性。
    - 低导通电阻:提供更低的损耗,提高能效。
    - 高温度范围:可在 -55°C 到 150°C 范围内工作,适应各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    NTDV5805NT4G MOSFET 主要应用于同步整流和电源供应系统。例如,在一些高效的开关电源设计中,这种 MOSFET 可以显著提升系统的整体效率。为了优化使用效果,建议注意以下几点:
    - 确保电路板散热良好,尤其是在高温环境下运行时。
    - 选择合适的驱动电阻(Rg),以保证快速的开关速度和较低的损耗。
    - 在设计电路时考虑并计算好热耗散,确保器件不会过热。

    兼容性和支持


    NTDV5805NT4G 支持与其他标准 TO-252 封装的电子元器件直接替换,具有良好的兼容性。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的产品手册和技术咨询,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的栅极电阻(Rg)?
    - 解答:根据手册推荐,一般选择 1Ω 的栅极电阻。对于具体应用,可以参考手册中的栅极电荷(Qg)曲线来调整。
    - 问题:如何防止过热?
    - 解答:合理布局电路板,增加散热片,必要时使用外部冷却装置,如散热风扇或散热块。

    总结和推荐


    总体来说,NTDV5805NT4G MOSFET 是一款非常优秀的功率器件,具备出色的性能和可靠性。其在电源管理领域的应用广泛,尤其适合需要高效、稳定工作的场合。因此,强烈推荐在各种开关电源设计中使用该产品。如果用户对 MOSFET 的使用有任何疑问,VBsemi 提供的技术支持将是一个可靠的资源。

NTDV5805NT4G-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 85A
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTDV5805NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTDV5805NT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTDV5805NT4G-VB NTDV5805NT4G-VB数据手册

NTDV5805NT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
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