处理中...

首页  >  产品百科  >  F520NSTRP-VB

F520NSTRP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: F520NSTRP-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F520NSTRP-VB

F520NSTRP-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,106mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

F520NSTRP-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

F520NSTRP-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F520NSTRP-VB F520NSTRP-VB数据手册

F520NSTRP-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
800+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 800
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336