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K1052-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K1052-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1052-VB

K1052-VB概述

    K1052-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1052-VB 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电力电子应用。这款 MOSFET 具有低门极电荷(Qg)特性,简化了驱动要求,并具备改进的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性。此外,它还完全标定了电容和雪崩电压及电流,符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10 V 时 4 Ω
    - 总门极电荷 (Qg(Max)):11 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):2.3 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):5.2 nC
    - 连续漏极电流 (ID):1.28 A(25 °C 时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):8 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):165 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):2 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):6 mJ
    - 最大功耗 (PD):25 °C 时 45 W
    - 结温范围 (TJ, Tstg):-55 至 +150 °C
    - 最大瞬态热阻 (RthJA):65 °C/W
    - 最大瞬态热阻 (RthJC):2.1 °C/W
    - 击穿电压 (VDS):650 V(0 V 时,ID = 250 µA)
    - 阈值电压 (VGS(th)):2.0 V 至 4.0 V(VDS = VGS,ID = 250 µA)
    - 反向转移电容 (Crss):5 pF
    - 输出电容 (Coss):45 pF

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:K1052-VB 的低门极电荷使得驱动更加简单。
    - 改进的耐久性:该 MOSFET 在门极、雪崩和动态 dV/dt 方面具有出色的耐久性。
    - 全参数标定:完全标定了电容和雪崩电压及电流,提高了可靠性和稳定性。
    - 符合 RoHS 标准:符合欧盟 RoHS 指令,适合环保需求高的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:利用其高耐压和低导通电阻特性,适合用于高频开关电源中的关键组件。
    - 电机控制:可应用于电动机驱动系统,提供高效能的电流控制。
    - 逆变器:在光伏逆变器中,能够有效处理高功率转换任务。
    - 使用建议:在使用过程中,应注意散热管理,确保器件工作在安全温度范围内。同时,根据应用需求选择合适的驱动电路,以充分发挥其性能优势。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K1052-VB 具有标准化的 TO-220AB 封装,易于与其他标准器件兼容。
    - 支持和服务:制造商提供了详尽的技术支持文档和咨询服务,确保客户能够正确安装和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何正确选择驱动电阻?
    - A:选择适当的驱动电阻,可以避免过冲和振铃现象,确保开关速度适中。
    - Q:长时间运行是否会引发热失效?
    - A:合理设计散热路径,并在设计时考虑热阻抗,可以有效防止热失效。
    - Q:使用过程中如何监测电流和电压?
    - A:通过选用合适的小型电流采样电阻并连接到微控制器或仪表板上进行实时监测。

    7. 总结和推荐


    K1052-VB N-Channel MOSFET 是一款性能优异且应用广泛的电力电子器件,特别适合需要高效能和高可靠性应用场景。其低门极电荷、良好的耐久性以及全面的参数标定使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐使用这款 MOSFET 为您的电力电子设计提供强有力的支持。

K1052-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1052-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1052-VB数据手册

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K1052-VB封装设计

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