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K2982-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: K2982-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2982-Z-VB

K2982-Z-VB概述

    K2982-Z N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K2982-Z 是一款N沟道MOSFET,采用TO-252封装。它是一款高性能的功率MOSFET,特别适用于电源管理和电池管理等高可靠性应用领域。这款产品被广泛应用于服务器、直流到直流转换(DC/DC)等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS):30 V
    - 最大连续漏极电流(TC = 25 °C):25.8 A
    - 脉冲漏极电流(IMD):250 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):94.8 mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25 °C):205 W
    - 最高工作温度(TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 热阻(RthJA):32°C/W 至 40°C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS):30 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0 V 至 2.5 V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):1 μA
    - 动态特性
    - 开启延迟时间(td(on)):18 ns 至 27 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):70 ns 至 105 ns
    - 关断恢复时间(tf):10 ns 至 15 ns

    3. 产品特点和优势


    K2982-Z 具备多种优势,使其在市场上具有竞争力:
    - TrenchFET® Power MOSFET:提供低导通电阻和高开关速度。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品稳定可靠。
    - 符合 RoHS 规范:环保设计,满足国际标准。
    这些特性使得 K2982-Z 在电力转换应用中表现出色,尤其适用于需要高效能和稳定性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - OR-ing:用于电力系统中的冗余设计。
    - Server:服务器电源管理系统。
    - DC/DC 转换器:电源转换和调节。
    - 使用建议:
    - 散热设计:在高温环境下使用时,建议增加散热片以降低温升,保证设备正常运行。
    - 负载管理:在高负载情况下,注意监控温度和电流,避免过载风险。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K2982-Z 与其他标准 TO-252 封装的 MOSFET 完全兼容,便于更换和升级。
    - 技术支持:VBsemi 提供全面的技术支持和维护服务,包括在线文档、客户支持热线(400-655-8788)等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:设备过热
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片,或者降低负载。

    - 问题 2:设备无法正常关断
    - 解决方案:检查电路接线是否正确,确保栅极驱动信号足够强。

    7. 总结和推荐


    K2982-Z 作为一款高性能的N沟道MOSFET,其出色的性能、可靠的制造工艺和良好的市场口碑使其成为众多电力转换应用的理想选择。对于需要高可靠性和高效率的用户,强烈推荐使用此产品。

K2982-Z-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
Id-连续漏极电流 60A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2982-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2982-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2982-Z-VB K2982-Z-VB数据手册

K2982-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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