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K429-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: K429-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K429-VB

K429-VB概述


    产品简介


    基本介绍
    本文将详细介绍一种N沟道100V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为VBsemi K429。这款MOSFET采用先进的TrenchFET技术制造,具有高可靠性、优异的性能和广泛的适用范围。
    主要功能
    - 高性能驱动能力:适用于PWM(脉冲宽度调制)驱动系统,确保高效稳定运行。
    - 高温度耐受性:能够在高达175°C的结温下正常工作。
    - 低导通电阻:在VGS = 10V时,导通电阻(RDS(on))低至0.12Ω,保证高效电能转换。
    应用领域
    - 主侧开关:适用于电源管理系统中的主侧开关。
    - 多种电源应用:广泛应用于各类开关电源、直流电机控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) 100 | V |
    | 门限电压(VGS(th)) 4 | V |
    | 导通电流(ID(on)) 40 | A |
    | 导通电阻(RDS(on)) 0.12 Ω |
    | 最大功耗(PD) 96 | W |
    | 极限工作温度范围 | -55 175 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的TrenchFET技术,提供更低的导通电阻和更高的功率密度。
    - 高可靠性:100% Rg测试,保证每个产品均符合严格的可靠性标准。
    - 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC,无铅且符合欧盟环保标准。
    优势
    - 高效能:低导通电阻和优异的温度耐受性使得其在高压、高频应用中表现出色。
    - 多功能性:适用于各种工业和消费电子应用,包括电源管理和电机控制。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    VBsemi K429 MOSFET常用于电源管理系统的主侧开关,例如在数据中心的电源系统中,能够有效提升电源转换效率。
    使用建议
    - 在设计电路时,需注意散热设计,确保在高负载情况下不会因过热而影响性能。
    - 使用时应避免超出绝对最大额定值,以免造成永久损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与大多数主流电源管理IC和控制系统兼容。
    - 可与常见的封装形式如TO-252一同使用。
    支持
    - 客户可获得技术支持和产品售后服务,包括详细的安装指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热现象 | 加强散热措施,增加散热片或风扇 |
    | 导通电阻异常升高 | 检查接线是否松动或虚焊 |
    | 功能失效 | 重新检查连接线路和接插件 |

    总结和推荐


    综合评估
    VBsemi K429 MOSFET凭借其卓越的性能、可靠性以及广泛的适用范围,在电源管理和电机控制领域表现突出。低导通电阻和高可靠性使其成为众多应用的理想选择。
    推荐
    强烈推荐在需要高效能和高可靠性的应用场景中使用VBsemi K429 MOSFET。无论是数据中心、工业控制还是消费电子产品,该产品都能提供出色的性能和稳定性。

K429-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K429-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K429-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K429-VB K429-VB数据手册

K429-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
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