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ME70N10T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: ME70N10T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ME70N10T-VB

ME70N10T-VB概述

    ME70N10T N-Channel 100-V (D-S) 175°C MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ME70N10T 是一种 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的性能和广泛的应用范围。此产品专为高可靠性应用而设计,具备高耐热能力和多种保护功能。它特别适用于工业自动化、电力管理系统、以及需要高温操作环境下的各种电子设备。

    技术参数


    ME70N10T 的主要技术参数如下:
    - 漏源电压(VDS):最高可达 100 V。
    - 最大栅源电压(VGS):±20 V。
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):在 25°C 环境温度下为 100 A;在 125°C 环境温度下为 75 A。
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值可达 300 A。
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最高可达 280 mJ。
    - 最高功耗(PD):250 W(TO-220AB 和 TO-263);3.75 W(自由空气环境,TO-263)。
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55 至 175°C。
    - 热阻(RthJA):TO-263 封装下的值为 40°C/W(PCB 安装),TO-220AB 封装下的值为 62.5°C/W(自由空气);TO-220AB 封装下的 RthJC 值为 0.6°C/W。

    产品特点和优势


    ME70N10T 的主要优势在于:
    - 高耐温性:能够承受高达 175°C 的最高结温。
    - 高效能:低导通电阻(RDS(on)),VGS = 10 V 时为 0.009Ω。
    - 可靠性:通过 RoHS 指令 2002/95/EC 认证,满足绿色环保要求。
    - 快速开关特性:具备良好的动态特性,如低输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)及反向转移电容(Crss)。

    应用案例和使用建议


    ME70N10T 主要应用于高压转换电路和功率管理模块中。由于其高耐温特性和高效的热管理能力,非常适合在恶劣环境中使用。例如,在电机驱动器、电源逆变器以及焊接设备中发挥重要作用。
    使用建议:
    - 在高温环境下,确保散热系统设计合理,以防止过热现象。
    - 配合适当的驱动电路使用,以实现最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    ME70N10T 可以与其他标准 TO-220AB 封装的产品兼容,便于安装和替换。VBsemi 公司提供了详尽的技术支持文档和服务热线(400-655-8788),用户可以随时咨询技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间工作后发热严重。
    解决方法:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或使用风扇辅助散热。
    - 问题:开启或关闭延迟时间长。
    解决方法:调整栅极电阻,优化驱动电路,以提高开关速度。

    总结和推荐


    总体而言,ME70N10T 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适合在高温、高压环境中使用。其卓越的耐温能力和高效的导电性能使其成为工业控制和电力管理系统的理想选择。强烈推荐在需要高可靠性和稳定性的应用中使用该产品。
    服务热线:400-655-8788

ME70N10T-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

ME70N10T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ME70N10T-VB数据手册

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ME70N10T-VB封装设计

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