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NP100N04PUK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: NP100N04PUK-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP100N04PUK-VB

NP100N04PUK-VB概述


    产品简介


    N-Channel 4 V MOSFET
    产品类型:N-Channel TrenchFET® Power MOSFET
    主要功能:
    - 适用于同步整流和电源管理
    - 具备高电流承载能力(连续源-漏极电流可达150A)
    - 高性能转导率(Transconductance),确保高效的信号转换
    应用领域:
    - 同步整流
    - 电源管理
    - 适合高效率要求的系统设计

    技术参数


    基本参数:
    - 漏-源电压(VDS):4V
    - 栅-源电压(VGS):± 25V
    - 连续漏极电流(TC = 25°C):150A
    - 脉冲漏极电流(IMD):380A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):320mJ
    - 最大功耗(TC = 25°C):312W
    静态参数:
    - 漏-源击穿电压(VDS):45V
    - 栅-源阈值电压(VGS(th)):1.2 ~ 2.5V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1µA @ 40V, 0V
    动态参数:
    - 输入电容(Ciss):9000pF @ 20V, 0V
    - 输出电容(Coss):650pF
    - 总栅电荷(Qg):120nC @ 20A
    开关时间参数:
    - 导通延迟时间(td(on)):20 ~ 30ns
    - 关断延迟时间(td(off)):77 ~ 115ns

    产品特点和优势


    - 高效能:具备低至0.0017Ω的导通电阻,确保高效率信号转换。
    - 可靠性:100% Rg和UIS测试保证产品的稳定性和可靠性。
    - 温度适应性强:工作温度范围为-55°C到150°C,适合各种恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在高频DC/DC转换器中作为同步整流器,实现高效能的能量转换。
    使用建议:
    - 当用于高温环境时,注意散热措施以避免热失控。
    - 使用适当的驱动电路来减小开关损耗,提高整体系统效率。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品符合D2PAK封装标准,易于与其他标准组件兼容。
    - 罗氏认证(RoHS)确保产品符合环保要求,适用于多种国际标准的应用场景。
    支持和维护:
    - 厂商提供技术支持和售后服务,确保客户能够获得全方位的支持和服务。
    - 提供详尽的技术资料和快速响应的技术支持,帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 开关速度慢:可能是驱动电路不合适导致的,建议检查并调整驱动电路。
    2. 过温保护:检查散热是否良好,必要时增加散热装置。
    解决方案:
    - 重新配置驱动电路,确保其能够充分驱动MOSFET。
    - 加装额外散热片或采用更有效的散热方式,如水冷或风冷系统。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高效能:低至0.0017Ω的导通电阻,显著提升能效。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试,确保长期稳定运行。
    - 广泛适用性:适合多种应用场合,包括同步整流和电源管理。
    结论:
    - 强烈推荐:由于其卓越的性能和广泛的适用性,这款N-Channel 4V MOSFET是非常值得推荐的产品,尤其适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

NP100N04PUK-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 180A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP100N04PUK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP100N04PUK-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP100N04PUK-VB NP100N04PUK-VB数据手册

NP100N04PUK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
800+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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