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FS59N10D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: FS59N10D-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FS59N10D-VB

FS59N10D-VB概述

    FS59N10D Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FS59N10D 是一款高性能的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 D2PAK 封装(也称为 TO-263 封装)。这种类型的 MOSFET 具备低电阻、高开关速度和全雪崩等级等特点,适用于多种工业和消费电子应用。其表面贴装设计使其易于安装在电路板上,并且具有良好的散热性能。

    2. 技术参数


    - 基本规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):100 V
    - 漏极连续电流 (ID):TC = 25°C 时为 70 A,TC = 100°C 时为 56 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):250 A
    - 热阻 (RthJA):最大值为 40°C/W
    - 最大功率耗散 (PD):TC = 25°C 时为 3.1 W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 绝对最大栅源电压 (VGS):±20 V
    - 输入电容 (Ciss):1300 pF
    - 输出电容 (Coss):430 pF
    - 反向转移电容 (Crss):130 pF
    - 总栅电荷 (Qg):最大值为 70 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):13 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):39 nC
    - 动态参数:
    - 开启延时时间 (td(on)):最大值为 14 ns
    - 上升时间 (tr):最大值为 51 ns
    - 关闭延时时间 (td(off)):最大值为 45 ns
    - 下降时间 (tf):最大值为 36 ns
    - 最大雪崩能量 (EAS):580 mJ
    - 雪崩电流 (IAR):20 A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR):13 mJ
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt):5.0 V/ns
    - 静态参数:
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0 - 4.0 V
    - 漏源开启状态电阻 (RDS(on)):VGS = 10 V 时,最大值为 0.020 Ω
    - 漏源体二极管连续电流 (IS):最大值为 20 A
    - 漏源体二极管脉冲电流 (ISM):最大值为 72 A
    - 漏源体二极管反向恢复时间 (trr):最大值为 610 ns
    - 漏源体二极管反向恢复电荷 (Qrr):最大值为 7.1 μC

    3. 产品特点和优势


    - 环保合规:符合 RoHS 和 IEC 61249-2-21 的无卤素标准。
    - 低热阻:具备优秀的散热性能,热阻低至 40°C/W,适合在高温环境下工作。
    - 高可靠性:全雪崩等级设计,确保在极端条件下仍能稳定运行。
    - 快速开关:具备低开启延时时间和上升时间,适用于高频应用。
    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为 0.020 Ω,减少功耗并提高效率。
    - 动态性能优异:拥有出色的输入、输出和反向转移电容特性,支持高速信号处理。
    - 表面贴装设计:易于安装和自动化生产,提高制造效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:FS59N10D 广泛应用于电源转换器、电机驱动、逆变器等领域。例如,在开关电源中作为功率开关管使用,可以有效降低损耗并提升整体效率。
    - 使用建议:为了充分发挥其性能,建议将 MOSFET 安装在具有良好散热性能的 PCB 上,并使用较大的铜箔面积以辅助散热。同时,选择合适的栅极驱动器和门极电阻,以确保快速稳定的开关动作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FS59N10D 与大多数主流的表面贴装设备兼容,易于集成到现有的电路板设计中。
    - 支持和服务:厂商提供详细的技术文档和参考设计,用户可以随时联系技术支持团队获取帮助。此外,还提供了详细的故障排查指南和常见问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高频应用中出现不稳定现象。
    - 解决方案:增加栅极电阻以减缓开关速度,或者更换为具有更低栅电荷的 MOSFET。
    - 问题:在高温环境下工作时性能下降。
    - 解决方案:改善散热措施,如增加散热片或风扇,以确保 MOSFET 处于正常工作温度范围内。
    - 问题:栅极驱动电压不稳导致误触发。
    - 解决方案:检查电源供应线路,确保栅极驱动电压稳定。可以使用专用的栅极驱动 IC 来提高稳定性。

    7. 总结和推荐


    FS59N10D 是一款性能卓越的 N-通道 MOSFET,具备低电阻、快速开关和高可靠性等显著特点。适用于多种电力电子应用,如电源转换器、电机驱动系统等。对于追求高效、可靠和紧凑设计的应用场合,这款 MOSFET 是一个理想的选择。强烈推荐使用 FS59N10D 在需要高性能和高可靠性的电力电子系统中。

FS59N10D-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V,22mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Id-连续漏极电流 70A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FS59N10D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FS59N10D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FS59N10D-VB FS59N10D-VB数据手册

FS59N10D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.8008
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