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NCE6003-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: NCE6003-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE6003-VB

NCE6003-VB概述

    NCE6003 N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE6003 是一款适用于多种应用的N沟道60V(D-S)MOSFET,具有卓越的性能和可靠性。它采用先进的TrenchFET技术制造,提供低导通电阻和高电流能力,非常适合电池开关、DC/DC转换器等应用。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 60V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 4.0A (TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 12A
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): ≤1μA (VDS=60V)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1V 至 3V
    - 静态导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS=10V 时:0.075Ω
    - VGS=4.5V 时:0.086Ω
    - 输入电容 (Ciss): 180pF (VDS=30V, VGS=0V)
    - 输出电容 (Coss): 22pF
    - 反向传输电容 (Crss): 13pF
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VGS=10V 时:4.2nC
    - VGS=4.5V 时:2.1nC
    - 最大功率耗散 (PD): 1.66W (TC=25°C)

    产品特点和优势


    1. 无卤素材料: 符合IEC 61249-2-21标准,适用于环保要求高的应用。
    2. 高可靠性测试: 100% Rg和UIS测试确保产品质量。
    3. 低导通电阻: 极低的导通电阻使能量损耗更小,适合高频开关应用。
    4. 快速开关特性: 转换时间为纳秒级别,提高电路效率。
    5. 宽工作温度范围: 可在-55°C至150°C范围内工作。

    应用案例和使用建议


    NCE6003广泛应用于电池开关、DC/DC转换器等场合。例如,在电池管理系统中,该MOSFET可实现高效的电池开关控制,减少能量损耗并延长电池寿命。建议在设计时考虑到散热问题,以确保MOSFET在高温环境下仍能稳定工作。

    兼容性和支持


    NCE6003采用标准的TO-236/SOT23封装,易于焊接和安装。厂商提供详细的技术支持和售后服务,包括应用指南和技术文档,帮助客户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 为什么MOSFET的导通电阻会随温度变化?
    - A: 导通电阻的变化是由材料特性和器件结构决定的。查阅技术手册中的热阻数据,并采取适当的散热措施可以有效缓解这一问题。
    2. Q: 如何避免栅极损坏?
    - A: 确保栅极电压不超过±20V的额定值,并在使用过程中避免静电放电对栅极造成损害。
    3. Q: 什么情况下会出现脉冲电流过大的问题?
    - A: 在短时间内通过大电流可能导致脉冲电流超过额定值。建议采用合适的驱动电路和散热装置来限制电流峰值。

    总结和推荐


    综上所述,NCE6003是一款高性能、高可靠性的N沟道60V MOSFET,特别适合于需要高效能开关的应用。其无卤素材料、低导通电阻和快速开关特性使其成为电池开关、DC/DC转换器等应用的理想选择。强烈推荐使用此产品,并结合具体应用场景进行优化设计。

NCE6003-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@10V,96mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE6003-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE6003-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE6003-VB NCE6003-VB数据手册

NCE6003-VB封装设计

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