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IRFIZ44NPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: IRFIZ44NPBF-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFIZ44NPBF-VB

IRFIZ44NPBF-VB概述

    IRFIZ44NPBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFIZ44NPBF-VB 是一款由 VBsemi 推出的N沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具备高电压隔离能力、低导通电阻和优异的动态性能,适用于多种工业和消费电子领域的电力控制应用。这款 MOSFET 的额定耐压为 60V,非常适合用于开关电源、电机驱动和其他需要高效率电能转换的应用场合。

    技术参数


    - 额定耐压(VDS): 60V
    - 导通电阻(RDS(on)): 在 VGS = 10V 下,RDS(on) ≤ 0.027Ω
    - 栅极电荷(Qg): 最大值为 95nC
    - 栅源电荷(Qgs): 27nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 46nC
    - 热阻(RthJC): ≤ 3.1°C/W
    - 最大脉冲电流(IDM): 220A
    - 连续电流(ID): 在 VGS = 10V 和 TC = 25°C 下为 45A,在 TC = 100°C 下为 220A
    - 最大功耗(PD): 52W
    - 最大工作温度(TJ): -55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    1. 高电压隔离:2.5kVRMS 隔离电压,能够承受高达 175°C 的高温,确保长期稳定运行。
    2. 低导通电阻:在 VGS = 10V 时,导通电阻低至 0.027Ω,极大地提高了能效。
    3. 高可靠性:低热阻设计,能够在高电流条件下保持较低的工作温度。
    4. 无铅封装:采用无铅工艺制造,符合 RoHS 规范,绿色环保。
    5. 动态 dV/dt 评级:适合高频率开关应用,减少开关损耗。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:适用于高性能开关电源的设计,如电信设备中的电源模块。
    - 电机驱动:可以作为电机控制器中的开关元件,提高系统的能效和可靠性。
    - 工业控制:适用于工业自动化中的各种控制电路。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高电流和高频率工作环境下。
    - 使用低阻抗栅极驱动器以减少开关损耗。
    - 考虑外部保护电路,例如反向恢复二极管,以保护 MOSFET 免受过压冲击。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他常见的功率 MOSFET 相比具有高度的兼容性,适用于现有的 PCB 设计。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、应用指导和技术文档更新。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高负载情况下,MOSFET 温度过高。
    解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保良好的空气流通。
    2. 问题:MOSFET 在高频下工作不稳定。
    解决方案:使用低阻抗栅极驱动器,并优化 PCB 布局,减少杂散电感。
    3. 问题:栅极出现不稳定信号。
    解决方案:检查并优化栅极电路连接,使用低阻抗栅极驱动器。

    总结和推荐


    总体来看,IRFIZ44NPBF-VB 是一款性能卓越的N沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高耐压能力和优良的热稳定性。其出色的电气特性和广泛的适用范围使其成为工业和消费电子产品中不可或缺的组件。如果你正在寻找高效、可靠且易于集成的 MOSFET 解决方案,IRFIZ44NPBF-VB 绝对值得考虑。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的电力控制系统中使用该产品。

IRFIZ44NPBF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFIZ44NPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFIZ44NPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFIZ44NPBF-VB IRFIZ44NPBF-VB数据手册

IRFIZ44NPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 1.8212
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