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WFF2N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: WFF2N60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF2N60-VB

WFF2N60-VB概述

    WFF2N60 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WFF2N60 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电力转换和控制电路中。其主要功能是作为开关组件,提供低电阻导通路径以实现高效的电流控制。此器件非常适合用于需要高电压、高电流处理能力的应用场合,如电源转换器、电机驱动和逆变器等。

    2. 技术参数


    以下是 WFF2N60 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 |

    | VDS (漏源电压) | 650 V |
    | RDS(on) (导通电阻) | 4.0 Ω (VGS = 10 V) |
    | Qg (总门极电荷) | 11 nC |
    | Qgs (门极-源极电荷) | 2.3 nC |
    | Qgd (门极-漏极电荷) | 5.2 nC |
    | 绝对最大额定值
    | VDS (漏源电压) | 650 V |
    | VGS (门源电压) | ± 30 V |
    | 连续漏极电流 (VGS = 10 V) | 1.28 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 165 mJ |
    | 最大功率耗散 (TC = 25 °C) | 25 W |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 Qg:低栅极电荷要求简化驱动,提高能效。
    - 增强型栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性:提高了器件的耐用性。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流表征:确保产品在不同条件下的可靠性。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:环保设计,满足欧盟标准。

    4. 应用案例和使用建议


    WFF2N60 广泛应用于电力转换器、电机驱动器和逆变器等应用场合。在实际使用中,可以采取以下措施优化系统性能:
    - 确保驱动电路中的栅极电阻值适当,以减少栅极充电时间。
    - 使用热沉和散热片来管理发热,避免过温。
    - 在设计电路时,考虑低寄生电感和低泄漏电感电流的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准 N-Channel MOSFET 设备兼容。
    - 支持和服务:VBsemi 提供详细的技术文档和客户支持,确保用户能够顺利使用产品并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 高温下导通电阻增大 | 确保良好的散热设计,并使用热沉。 |
    | 雪崩能量不足导致损坏 | 避免长时间工作在超过绝对最大额定值的条件下。 |
    | 门极驱动电压不当 | 检查驱动电路,确保合适的 VGS 设置。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,WFF2N60 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,适用于多种高压、大电流应用场景。其低栅极电荷、增强的耐受性以及全面的特性表征使其在市场上具备较高的竞争力。因此,强烈推荐在需要高效、可靠开关的电路中使用这款器件。对于寻求高性能 MOSFET 的工程师和技术人员,WFF2N60 将是一个理想的选择。

WFF2N60-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF2N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF2N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF2N60-VB WFF2N60-VB数据手册

WFF2N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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