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TK4A53D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: TK4A53D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TK4A53D-VB

TK4A53D-VB概述


    产品简介


    产品名称: TK4A53D Power MOSFET
    产品类型: N-通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET)
    主要功能:
    - 高效开关:通过低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)来降低导通和开关损耗。
    - 稳定性能:在各种温度条件下提供稳定的性能。
    - 反向恢复特性好:内置的体二极管具有较低的反向恢复时间和反向恢复电荷。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明:高强光放电灯(HID)、荧光灯
    - 工业用途

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)): 1Ω @ 25°C
    - 最大栅极电荷 (Qg): 32nC @ 10V
    - 输入电容 (Ciss): 1350pF @ 100V
    - 输出电容 (Coss): 200pF
    - 反向传输电容 (Crss): 40pF
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 97mJ

    产品特点和优势


    - 低导通损耗: 低RDS(on)和Qg值,显著降低开关和传导损耗,提高效率。
    - 快速开关能力: 低输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),有利于快速开关操作。
    - 高可靠性: 额定雪崩耐量(UIS),在极端条件下能保持稳定工作。
    - 易于驱动: 低栅极电荷要求,使其容易被标准驱动电路驱动。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 在数据中心和电信设备中,可以有效地实现高效的电源转换,满足高电流需求。
    - 照明系统: 在高强光放电灯和荧光灯的应用中,表现出色,尤其是在频繁开关的应用中。
    - 工业用途: 可用于需要高压、大电流的工业场合,如电机驱动和加热控制系统。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,应注意散热设计以防止过热。
    - 在恶劣环境下使用时,确保正确的驱动条件,避免过电压和过电流。

    兼容性和支持


    - 兼容性: TK4A53D兼容大多数标准电源设计,特别是在SMPS和其他类似的电力转换应用中。
    - 支持和维护: 台湾VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,包括使用指南、应用笔记和常见问题解答。若有任何问题,可通过官方服务热线400-655-8788进行咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的栅极电压可能导致损坏。
    - 解决方案: 使用适当的栅极驱动器和外部保护电路,如齐纳二极管。
    - 问题: 导通电阻过高。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,并按推荐的工作条件运行。

    总结和推荐


    总体评价:
    - TK4A53D N-Channel Power MOSFET以其出色的效率和可靠性能,适合于多种应用场景。
    - 特别适合需要高效率、快速响应时间的电源转换应用。
    推荐使用:
    - 对于希望提高电源转换效率、需要快速开关能力和高可靠性的工程师和技术人员,强烈推荐使用此产品。其卓越的性能和广泛的应用范围,使其成为市场上极具竞争力的选择。

TK4A53D-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TK4A53D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TK4A53D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TK4A53D-VB TK4A53D-VB数据手册

TK4A53D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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