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2SK2475-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: 2SK2475-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2475-VB

2SK2475-VB概述


    产品简介


    2SK2475-VB 是一款由 VBsemi 推出的 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源及照明系统(如高强度放电灯 HID 和荧光灯球泡)等领域。作为一款高性能的电子元器件,该产品以其低导通电阻、高能效转换能力等特点,成为现代电力电子设计的理想选择。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术规格和性能参数:
    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 (VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.123 | Ω |
    | 栅源电荷 (Qg) | 186 | nC |
    | 总栅电荷 (Qg) | 186 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 21 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 1.5 | nC |
    | 额定单脉冲雪崩能量 (EAS)| 5 | mJ |
    | 最大功耗 (PD) | 21 | W |
    | 热阻抗 (RthJA) | 63 | °C/W |
    | 工作温度范围 | -55 至 +150 °C
    其他性能指标还包括:
    - 输入电容 (Ciss): 147 pF
    - 输出电容 (Coss): 1.5 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 0.5 pF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 45 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 62 ns

    产品特点和优势


    1. 低导通损耗:通过优化设计降低 RDS(on),从而显著减少导通时的功耗。
    2. 超低栅极电荷:低栅极电荷(Qg)有助于减少开关损耗,提升开关频率。
    3. 高可靠性:经过严格测试,支持重复脉冲操作并具备雪崩保护功能。
    4. 宽广的工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行,适合严苛工业条件。
    5. 高效率转换:适用于高频、高效电源转换场合,帮助优化能源利用效率。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 服务器和电信电源:适合高频逆变器和转换电路。
    - LED驱动电源:用于为 LED 灯条和模块提供稳定的供电。
    - 工业自动化设备:适用于电机控制、焊接设备等需要高电流的应用。
    使用建议:
    1. 在高频应用中,确保合理设计电路以减少寄生电感,提升整体性能。
    2. 在高温环境中工作时,需额外加装散热片以防止过热现象。
    3. 对于大电流场合,可通过并联多颗器件分散负载,确保安全性。

    兼容性和支持


    2SK2475-VB 采用 TO-220AB 封装,可轻松集成到标准的印刷电路板设计中。此外,VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括快速响应客户咨询和技术支持热线(400-655-8788),以及在线产品更新通知。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中温度过高 | 加强散热措施,安装外部散热器或改进 PCB 设计 |
    | 导通电阻异常偏高 | 检查驱动电压是否达到阈值 (VGS ≥ 10 V) |
    | 雪崩保护功能失效 | 确保正确连接栅极电阻以抑制过压现象 |

    总结和推荐


    总体而言,2SK2475-VB 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,其优越的低导通电阻和开关性能使其非常适合现代电力电子领域的应用需求。结合其广泛的适用性和强大的技术支持,我们强烈推荐此产品用于各类电源管理和转换场景。无论是针对商业用途还是工业应用,2SK2475-VB 都能够满足客户对效率、成本和可靠性的多重期望。

2SK2475-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 9A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2475-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2475-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2475-VB 2SK2475-VB数据手册

2SK2475-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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