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J246TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: J246TR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J246TR-VB

J246TR-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    基本介绍:
    本产品是一款P沟道30V MOSFET,具有高可靠性、高效率的特点,适用于各种电力开关和负载切换场合。采用先进的TrenchFET®技术制造,确保在苛刻的应用环境中也能提供卓越性能。

    技术参数


    - 电压特性
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 30V
    - 最大门限电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 电流特性
    - 漏极连续电流(TJ=150°C):
    - \(TC = 25°C\): 12A
    - \(TA = 25°C\): 4.1A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 112A
    - 电阻特性
    - 开启状态漏源电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 \(V{GS} = -10V\) 时:0.033Ω
    - 在 \(V{GS} = -4.5V\) 时:0.046Ω
    - 电容特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 1350pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 255pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 190pF
    - 热特性
    - 最大结到外壳热阻 \(R{thJA}\): 38°C/W(最大)
    - 最大结到脚热阻 \(R{thJF}\): 20°C/W(最大)
    - 环境条件
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 环保设计:符合RoHS标准,无卤素,适用于多种环保要求严格的场合。
    - 高可靠性和测试保障:100%经过Rg和UIS测试,保证产品质量和稳定性。
    - 低电阻:开启状态下的漏源电阻非常低,保证高效能和低功耗。
    - 高抗压能力:耐受高压和高脉冲电流,适合极端环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本适配器开关:用于调节和控制电源输出。
    - 负载开关:控制负载电流的通断,实现精准控制。
    使用建议:
    - 在选择使用场合时,需要考虑负载的电流需求和可能的最大电压波动,确保安全可靠运行。
    - 确保在安装过程中使用合适的焊接工艺,避免因焊接不当导致产品失效。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET与多数常见的负载开关和笔记本适配器开关兼容,适用于广泛的应用场景。
    - 技术支持:制造商提供详细的安装指南和技术支持服务,帮助客户顺利使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开启延迟时间过长
    解决方案: 调整栅极电阻,降低延迟时间。
    - 问题2: 发热严重
    解决方案: 增加散热措施,确保良好的热管理。
    - 问题3: 高频操作不稳定
    解决方案: 优化电路设计,降低干扰并提升稳定性。

    总结和推荐


    总体评估:这款P-Channel 30-V MOSFET在性能上表现出色,尤其在低电阻和高可靠性方面。它适用于多种负载开关和适配器开关场景,是高性能电子系统的理想选择。
    推荐使用:强烈推荐使用此产品,特别是在对性能要求较高且需要可靠性的应用场合。制造商提供的全面技术支持和服务也进一步增强了其在市场上的竞争力。

J246TR-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 26A
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J246TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J246TR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J246TR-VB J246TR-VB数据手册

J246TR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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