处理中...

首页  >  产品百科  >  NP60N04VUK-VB

NP60N04VUK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: NP60N04VUK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP60N04VUK-VB

NP60N04VUK-VB概述

    NP60N04VUK N-Channel 40V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NP60N04VUK 是一款采用 TrenchFET® 技术的N沟道40V(漏-源)功率MOSFET。该产品广泛应用于多种电源管理领域,如电源OR-ing电路、服务器电源系统以及直流-直流转换器。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):40 V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)):1.5 ~ 2.5 V
    - 漏极连续电流 (ID):90 A (TJ = 175 °C)
    - 栅极-源极泄漏电流 (IGSS):± 100 nA
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS):1 µA (VDS = 40 V, VGS = 0 V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.013 Ω (VGS = 10 V), 0.01 Ω (VGS = 4.5 V)
    - 栅极电荷 (Qg):2 nC (VGS = 10 V), 1 nC (VGS = 4.5 V)
    - 最大功率耗散 (PD):100 W (TC = 25 °C)

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:先进的沟槽式制造工艺提高了效率并降低了功耗。
    - 可靠测试:所有产品经过100% Rg和UIS测试,确保其在极端条件下的可靠性。
    - 环保合规:符合RoHS指令2011/65/EU,无有害物质。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:NP60N04VUK 可以应用于电源管理系统,如服务器的电源供应部分。由于其高电流承载能力和低导通电阻,非常适合于需要高效能量转换的应用场合。
    - 使用建议:在选择散热器时,要根据产品的最大功率耗散来选择合适的型号,以保证在高负载情况下良好的热管理。此外,在高频率应用中,需要注意总栅极电荷(Qg)的影响,以确保开关性能的优化。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NP60N04VUK 设计用于标准的 TO-252 封装,适用于大多数常规电源板布局。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流环境下,产品温度过高导致关机。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用更大的散热片或外部冷却系统。
    - 问题2:栅极电压波动导致开关不稳定。
    - 解决方案:确保使用稳定可靠的栅极驱动器,并适当调整栅极电阻(Rg)以稳定信号。

    7. 总结和推荐


    NP60N04VUK是一款高效率、高可靠性且环保的N沟道功率MOSFET,特别适合在服务器电源系统和直流-直流转换器中使用。其出色的性能和设计使得它在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐该产品给需要高性能功率管理解决方案的用户。

NP60N04VUK-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP60N04VUK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP60N04VUK-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP60N04VUK-VB NP60N04VUK-VB数据手册

NP60N04VUK-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504