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PSMN008-75B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: PSMN008-75B-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PSMN008-75B-VB

PSMN008-75B-VB概述

    PSMN008-75B: 高效能N沟道MOSFET

    产品简介


    PSMN008-75B是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET,其额定电压为80V,适用于各种高功率应用。这款器件集成了ThunderFET®技术,具有出色的热稳定性和高性能表现。广泛应用于开关电源、电机驱动系统、汽车电子及工业自动化等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 80 | V |
    | 漏极连续电流(TJ = 150°C) | 120 @ 25°C, 65 @ 125°C | A |
    | 短时脉冲漏极电流 | 225 | A |
    | 单次雪崩电流 | 50 | A |
    | 雪崩能量 | 125 | mJ |
    | 最大功率耗散(TC = 25°C) | 370 @ 25°C, 120 @ 125°C | W |
    | 绝对最大结温 | 175 | °C |
    | 额定结到环境热阻(PCB安装) | 40 | °C/W |
    | 额定结到管壳热阻 | 0.75 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:ThunderFET®技术确保了器件的高可靠性和长寿命。
    2. 宽工作温度范围:支持从-55°C到+175°C的工作温度范围。
    3. 优异的热稳定性:在高温条件下仍能保持高效性能。
    4. 全面测试认证:100% Rg和UIS测试确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一个开关电源设计中,PSMN008-75B被用于高压侧开关,以实现高效的功率转换。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,在使用过程中需注意散热管理,尤其是当工作温度超过125°C时。
    - 使用合适的栅极驱动电路可以有效减少开关损耗,提升整体效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可与多种电路板兼容,特别是针对1英寸方形FR4材料的PCB。
    - 支持:VBsemi提供详尽的技术文档和支持,包括详尽的应用指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的栅极电压可能导致器件损坏。
    解决方案:请确保栅极电压不超过±20V,必要时使用外部限流电阻。

    2. 问题:开关频率过高导致过热。
    解决方案:合理选择散热器和增强PCB散热能力,降低工作温度。

    总结和推荐


    PSMN008-75B凭借其卓越的性能和高可靠性,在众多应用中表现出色。其广泛的温度适应性和优秀的热稳定性使其成为各种高功率应用的理想选择。对于需要高效、可靠的功率控制解决方案的设计者而言,这无疑是一个值得推荐的产品。

PSMN008-75B-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 120A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PSMN008-75B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PSMN008-75B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PSMN008-75B-VB PSMN008-75B-VB数据手册

PSMN008-75B-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
800+ ¥ 4.1395
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