处理中...

首页  >  产品百科  >  J257-VB

J257-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: J257-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J257-VB

J257-VB概述

    J257-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    J257-VB 是一款高性能的P沟道MOSFET,属于TrenchFET®功率MOSFET系列。它适用于电源开关、高电流负载开关及DC/DC转换器等领域。由于其优异的电气特性和高可靠性,J257-VB 能够满足各种工业和消费电子应用的需求。

    技术参数


    J257-VB 的主要技术规格如下:
    - 漏源击穿电压(VDS):-60V
    - 栅极漏电流(IGSS):±250nA
    - 零栅电压漏电流(IDSS):-1µA
    - 静态导通电阻(RDS(on)):0.048Ω (VGS=-10V),0.060Ω (VGS=-4.5V)
    - 动态输入电容(Ciss):1650pF
    - 最大连续漏极电流(ID):-35A
    - 脉冲漏极电流(IMD):-100A
    - 热阻(RthJA):60°C/W
    工作环境方面,J257-VB 可在-55°C至150°C的温度范围内正常工作,具有很高的可靠性。

    产品特点和优势


    J257-VB 的主要特点是:
    - 符合RoHS和无卤素标准,确保环保。
    - 100% Rg和UIS测试合格,保证产品质量。
    - 高可靠性,适合在恶劣环境下使用。
    - 低导通电阻(RDS(on)),确保在大电流应用中的低损耗。
    这些特点使其在市场上具有很强的竞争力,特别适合需要高效率和可靠性的应用场景。

    应用案例和使用建议


    J257-VB 的典型应用场景包括电源开关、高电流负载开关及DC/DC转换器等。在实际使用时,需要注意以下几点:
    - 在使用过程中,应确保驱动电压不超过规定的范围(VGS ± 20V)。
    - 使用时需注意散热设计,以避免因过热而导致性能下降。
    - 考虑到安全性,设计时应遵循规定的最大脉冲电流限制(IMD -100A)。
    通过合理的设计和散热措施,J257-VB 可以在高电流应用中提供稳定可靠的性能。

    兼容性和支持


    J257-VB 采用D2PAK封装,这种封装形式广泛应用于多种电路板上,具有良好的兼容性。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    以下是J257-VB 用户可能会遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题1:设备在高温环境下无法正常工作。
    解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或风扇来提高散热效果。
    - 问题2:漏电流过大导致功耗增加。
    解决方案:检查电路板布局是否合理,特别是电源线和接地线的连接情况,确保低阻抗连接。
    - 问题3:漏极电流不稳定。
    解决方案:检查驱动信号是否稳定,调整驱动电路以确保稳定的输出。

    总结和推荐


    总体而言,J257-VB 是一款性能优良、应用广泛的P沟道MOSFET。它的低导通电阻、高可靠性及广泛的温度适应性使其成为电源管理和高电流控制领域的理想选择。尽管价格略高于同类产品,但其优秀的性能和长期稳定性足以弥补这一点。因此,对于需要高效、可靠解决方案的应用,强烈推荐使用J257-VB。

J257-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 30A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,70mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J257-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J257-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J257-VB J257-VB数据手册

J257-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
800+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831