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2SJ339-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,69mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~ -3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 2SJ339-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ339-VB

2SJ339-VB概述


    产品简介


    产品类型与功能
    2SJ339-VB 是一款 P 沟道沟槽型功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。这种 MOSFET 主要用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他电力电子应用,能够有效地控制高电压和大电流的电路。其独特的沟槽型设计提供了更低的导通电阻和更好的热稳定性。
    应用领域
    2SJ339-VB 适用于多种高功率和高电压的应用场景,如开关电源、电池充电器、电机驱动器、逆变器等。它特别适合于那些需要高效能、低功耗和高可靠性的系统。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | -60 | V |
    | 门阈电压 | VGS(th)| -1 | - | -2.5 | V |
    | 门体漏电流 | IGSS | - | - | ±250 | nA |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | - | - | -1 | A |
    | 导通状态漏电流 | ID(on) | - | - | -30 | A |
    | 导通状态漏极源极电阻 | RDS(on)| - | 0.050| - | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | 1765 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 230 | - | pF |
    | 门电荷 | QG | - | 67 | - | nC |

    产品特点和优势


    2SJ339-VB 具有以下显著特点和优势:
    - Halogen-Free 和 RoHS 合规:符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 指令,确保环保且无卤素材料。
    - TrenchFET® 技术:提供较低的导通电阻和较高的热稳定性,适用于高功率应用。
    - 严格的测试:100% Rg 和 UIS 测试,确保产品可靠性。
    - 低功耗和高效能:低导通电阻和快速开关速度使得能耗降低,效率提高。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在高功率开关电源的设计中,2SJ339-VB 能够提供高效的能量转换和控制。例如,在一个典型的应用中,当 2SJ339-VB 作为主控开关使用时,它可以实现高达 90% 的效率,并且能够承受短时间内的过压和过流。
    使用建议
    1. 温度管理:由于该器件的最大结温为 150°C,建议在高温环境下使用时采取散热措施,以避免热失效。
    2. 电路设计:合理布局电源线路和散热路径,以减少寄生电感和电容的影响。
    3. 保护电路:添加必要的保护电路,如过流保护和过压保护,以增强系统的可靠性。

    兼容性和支持


    2SJ339-VB 采用标准 TO-220 FULLPAK 封装,便于安装和散热。该产品与其他标准电路板和 PCB 设计具有良好的兼容性。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档、样品申请和技术咨询,以确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致器件损坏。
    - 解决方案:增加散热片或使用风扇进行强制冷却。
    2. 问题:开关频率过高导致损耗增加。
    - 解决方案:调整电路设计,适当降低开关频率或选择更低损耗的 MOSFET。
    3. 问题:门极驱动电压不足。
    - 解决方案:确保门极驱动电压符合器件要求,并且使用适当的门极电阻以保证足够的驱动能力。

    总结和推荐


    总体来看,2SJ339-VB 是一款高性能、高可靠性的 P 沟道 MOSFET,适用于各种高功率和高电压的应用场景。它的独特功能和优势使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐在需要高效、低损耗的高功率应用中使用此产品。

2SJ339-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,69mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 30A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SJ339-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ339-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ339-VB 2SJ339-VB数据手册

2SJ339-VB封装设计

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