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2SK2918-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
供应商型号: 2SK2918-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2918-01-VB

2SK2918-01-VB概述


    产品简介


    2SK2918-01-VB N-Channel MOSFET
    2SK2918-01-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于开关电源中的主侧开关,能够承受高达200V的漏源电压,并且能够在极端温度环境下正常工作。该产品广泛应用于各种电力电子系统中,如开关电源、直流电机驱动、逆变器等场合。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):200V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):25°C时为125A,175°C时为25A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):70A
    - 栅体泄漏电流 (IGSS):VDS = 0V, VGS = ±20V时小于100nA
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):25°C时小于1μA
    - 导通电阻 (RDS(on)):VGS = 10V时小于0.13Ω,工作温度范围为-55°C到175°C
    - 输入电容 (Ciss):1800pF
    - 输出电容 (Coss):180pF
    - 反向传输电容 (Crss):80pF
    - 总栅极电荷 (Qg):34nC 至 51nC
    - 栅源电荷 (Qgs):8nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):12nC
    - 关断延时时间 (td(off)):30ns至45ns
    - 上升时间 (tr):50ns至75ns
    - 下降时间 (tf):60ns至90ns
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C至175°C

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的TrenchFET技术,具有更低的导通电阻,提高了效率。
    - 高温工作能力:最高可承受175°C的结温,适合高温环境下的应用。
    - PWM优化设计:针对脉宽调制(PWM)进行优化,适用于高频开关应用。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC,环保无铅,保证产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例:2SK2918-01-VB常用于开关电源中的主侧开关,也适用于逆变器、直流电机驱动等需要高效率和高可靠性的场合。例如,在一个典型的200W开关电源中,它可以作为主开关器件使用,确保电源在高压环境下稳定运行。
    使用建议:
    - 在电路设计时,应考虑到散热问题。由于最大功率耗散为126W,因此需要配备适当的散热片或散热风扇。
    - 在进行高温测试时,注意器件的工作温度不能超过175°C,以免损坏器件。
    - 鉴于其良好的PWM适应性,使用PWM控制器时应注意匹配合适的栅极电阻(Rg),以优化开关速度。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准接口兼容,可以直接安装在TO-220封装的引脚上。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的技术文档、用户手册和客户技术支持服务。对于任何应用问题,用户可以通过服务热线400-655-8788联系VBsemi的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机后发热严重 | 检查散热片是否安装得当,必要时增加散热面积或更换散热方式。 |
    | 开关速度慢 | 检查栅极电阻是否合适,优化栅极驱动电路。 |
    | 漏电流异常大 | 确认封装是否完好,检查是否存在焊点短路。 |

    总结和推荐


    总体来看,2SK2918-01-VB是一款性能优越的N沟道MOSFET,具备优秀的高温工作能力和高效的开关性能,适用于多种电力电子应用场合。鉴于其高可靠性、高效能以及全面的支持服务,我们强烈推荐这一产品用于需要高性能开关的电力电子系统中。

2SK2918-01-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@10V,125mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~3V
Id-连续漏极电流 30A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2918-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2918-01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2918-01-VB 2SK2918-01-VB数据手册

2SK2918-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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