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NTP75N03L09G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: NTP75N03L09G-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTP75N03L09G-VB

NTP75N03L09G-VB概述

    # NTP75N03L09G N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTP75N03L09G 是一款N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理、OR-ing 电路、服务器、DC/DC 转换等领域。其特点是采用了先进的TrenchFET®工艺,能够提供卓越的性能和可靠性。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\):30 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\):±20 V
    - 连续漏极电流 \(ID\):120 A (TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\):380 A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\):36 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):64.8 V
    - 连续源极漏极二极管电流 \(IS\):90 A (TC=25°C)
    - 最大功率耗散 \(PD\):250 W (TC=25°C)
    额定值及工作条件
    - 热阻(最大) \(R{thJA}\):32 °C/W (≤ 10 秒)
    - 热阻(稳态) \(R{thJC}\):0.5 °C/W
    特性规格(\(TJ\) = 25°C,除非另有说明)
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\):1.0~2.5 V
    - 开启状态漏极电流 \(I{D(on)}\):90 A (VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V)
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):0.003 Ω (VGS = 10 V, ID = 28.8 A)

    产品特点和优势


    NTP75N03L09G 具有多项优势:
    - 高可靠性:所有批次均经过 Rg 和 UIS 测试,符合 RoHS 标准。
    - 高性能:优秀的导通电阻 \(R{DS(on)}\),在不同温度下的稳定性能。
    - 广泛的应用:适用于多种高压和高电流应用场合,如 OR-ing 电路和服务器电源。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTP75N03L09G 主要用于需要高效、高可靠性的应用中,例如:
    - 服务器电源:提供稳定的电源供应,提升系统整体稳定性。
    - OR-ing 电路:作为保护开关,防止电流反向流动,提高系统的安全性。
    使用建议
    - 在选择散热器时,应确保热阻 \(R{thJA}\) 小于 40 °C/W,以保持器件的正常工作温度。
    - 为保证长期可靠运行,应避免长时间超过绝对最大额定值的工作条件。

    兼容性和支持


    NTP75N03L09G 与标准 TO-220AB 封装兼容,适合大多数现成的电路板设计。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的规格手册和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:器件过热怎么办?
    解决办法:增加散热片,降低工作环境温度,或者调整工作负载,减少瞬时电流冲击。
    问题2:在高温环境下性能下降怎么办?
    解决办法:使用更高额定的散热器,或者在设计中考虑增加外部冷却措施。

    总结和推荐


    NTP75N03L09G N-Channel 30-V MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,适用于多种高压和高电流应用。建议在需要高可靠性和高性能的环境中优先选用此器件。VBsemi 提供详尽的技术支持,确保用户的最佳体验。

NTP75N03L09G-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NTP75N03L09G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTP75N03L09G-VB数据手册

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NTP75N03L09G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
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