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NTP75N06L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220\n一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: NTP75N06L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTP75N06L-VB

NTP75N06L-VB概述


    产品简介


    NTP75N06L 是由 VBsemi 生产的一款 N 沟道 60V (D-S) 功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET® 技术,能够在高温环境下(最高 175°C)稳定运行。NTP75N06L 主要应用于需要高效率、高功率密度的场合,如开关电源、电机驱动和照明系统等。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 门源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C): \( ID \) = 60 A (TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流: \( I{DM} \) = 200 A
    - 单次雪崩能量 (占空比 ≤ 1%): \( E{AS} \) = 125 mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C): \( PD \) = 136 W
    - 工作结温和存储温度范围: \( T{J}, T{STG} \) = -55°C 到 175°C
    - 热阻抗
    - 最大结到环境热阻: \( R{thJA} \) = 15°C/W (瞬态),40°C/W (稳态)
    - 最大结到外壳热阻: \( R{thJC} \) = 0.85°C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压: \( V{DS} \) = 60 V
    - 门阈值电压: \( V{GS(th)} \) = 1 V 至 3 V
    - 零门电压漏极电流: \( I{DSS} \) = 1 µA (VDS = 60 V, VGS = 0 V)
    - 开态漏极电流: \( I{D(on)} \) = 60 A (VDS = 5 V, VGS = 10 V)
    - 动态特性
    - 输入电容: \( C{iss} \) = 4200 pF
    - 输出电容: \( C{oss} \) = 570 pF
    - 反向转移电容: \( C{rss} \) = 325 pF
    - 总栅极电荷: \( Qg \) = 47 nC

    产品特点和优势


    NTP75N06L 的主要优势包括:
    - 高耐温能力:能够承受高达 175°C 的工作温度,适用于严苛的工作环境。
    - 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻 \( R{DS(on)} \) 仅为 0.011 Ω (VGS = 10 V),这有助于提高电路的整体效率。
    - 优秀的动态特性:较低的输入电容和输出电容,可以降低开关损耗,提高工作效率。
    - 卓越的安全性:具备较高的单次雪崩能量和功率耗散能力,确保在恶劣条件下的安全运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTP75N06L 广泛应用于开关电源、电机驱动和照明系统等场景。例如,在一个典型的开关电源设计中,它可以用作同步整流器,以减少导通损耗,提高整体效率。
    使用建议
    1. 散热管理:由于器件具有较高的功率耗散能力,需要良好的散热措施。建议在 PCB 上增加散热片或使用散热器来确保长期稳定运行。
    2. 驱动电路设计:为了充分发挥其低导通电阻的优势,建议选择合适的驱动电路和门极电阻,以避免开关速度过快导致的损耗。

    兼容性和支持


    NTP75N06L 采用标准 TO-220AB 封装,易于集成到现有电路中。此外,VBsemi 提供全面的技术支持,包括在线文档、应用指南和技术咨询热线 (400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    1. 问:NTP75N06L 的工作温度范围是多少?
    - 答:工作结温和存储温度范围为 -55°C 至 175°C。
    2. 问:如何避免器件因过热而损坏?
    - 答:通过良好的散热设计,如添加散热片或使用散热器,确保器件在正常工作范围内运行。

    总结和推荐


    NTP75N06L 作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其出色的高温工作能力、低导通电阻和优异的动态特性,在多种应用场景中表现出色。总体来看,它是一款值得推荐的产品,尤其适合需要高效能、高可靠性的应用场合。对于任何需要精确控制和高效驱动的应用,NTP75N06L 都是理想的选择。

NTP75N06L-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 60A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NTP75N06L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTP75N06L-VB数据手册

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NTP75N06L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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