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NCE40H25-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单路N沟道MOSFET,适用于高功率功率控制和开关应用。具有40V的最大漏极-源极电压(VDS)、280A的最大漏极电流(ID)和极低的漏极-源极电阻(RDS(on))。采用沟道技术制造,封装为TO220,适用于需要高功率输出的电子设备的功率开关和控制模块。
供应商型号: NCE40H25-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE40H25-VB

NCE40H25-VB概述

    NCE40H25 N-Channel 40V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE40H25 是一款 N 沟道 MOSFET,具有 40V 的漏极-源极电压 (VDS)。它采用先进的 TrenchFET® 技术制造,适用于同步整流和电源供应等领域。此款 MOSFET 被广泛应用于功率转换和控制领域,特别是在需要高效率和高性能的应用场合。

    2. 技术参数


    以下是 NCE40H25 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 40 45 | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th)| 1.2 | 2.5 V |
    | 漏极电流(连续) | ID | 220 280 | A |
    | 门极电荷(典型) | Qg | 240 | 360 nC |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on)| 0.001 0.0012| Ω |
    | 漏源极电容(Coss) | Coss | 1550 pF |
    | 门源极电容(Ciss) | Ciss | 18800 pF |
    | 正向二极管电压(VSD) | VSD | 0.8 1.2 | V |
    | 反向恢复时间(trr) | trr | 50 75 | ns |

    3. 产品特点和优势


    NCE40H25 的主要优势如下:
    - 低导通电阻:在 VGS=10V 下,RDS(on) 为 0.001Ω,这使得其非常适合用于需要低损耗的应用。
    - 高可靠性:所有产品均通过 Rg 和 UIS 测试,确保其长期稳定性。
    - 高速开关性能:总门极电荷低,仅为 240nC,有助于提高电路的开关频率。
    - 高温适应性:可以在 -55°C 至 150°C 的温度范围内正常工作,适用于极端环境。

    4. 应用案例和使用建议


    NCE40H25 在多个领域都有广泛应用,例如:
    - 同步整流:在 DC-DC 转换器中作为同步整流器,以减少功率损耗。
    - 电源供应:在高效率电源模块中作为开关元件。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合绝对最大额定值,避免长时间暴露在极限条件下。
    - 选择合适的散热措施,尤其是在高功率应用场景下。

    5. 兼容性和支持


    NCE40H25 与大多数常见的 SMD 封装标准兼容,可直接替换其他品牌的同类产品。厂商提供详尽的技术支持,包括设计指导、故障排查和维护支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温工作时性能下降 | 使用合适的散热器,确保良好的热管理 |
    | 开关损耗过高 | 优化电路设计,降低门极电荷 |

    7. 总结和推荐


    总体而言,NCE40H25 N-Channel 40V MOSFET 在高效能和高可靠性方面表现卓越,非常适合于高要求的工业和商业应用。鉴于其优异的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐将其用于各种电力管理和控制场景。

NCE40H25-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 270A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ@10V,1.8mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE40H25-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE40H25-VB数据手册

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NCE40H25-VB封装设计

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