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NTB45N06LT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: NTB45N06LT4G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTB45N06LT4G-VB

NTB45N06LT4G-VB概述

    NTB45N06LT4G N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTB45N06LT4G 是一款由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的 N-沟道功率 MOSFET。这款电子元器件采用表面贴装(Surface Mount)技术,封装形式为 D2PAK (TO-263),适用于各种电路设计需求。其主要功能是在电源管理、电机驱动及高频开关应用中作为开关元件使用。该产品符合 RoHS 指令,且为无卤素产品,确保了其在环保方面的优势。

    技术参数


    - 电压参数:漏源电压(VDS)最大值为 60 V。
    - 电流参数:连续漏极电流(ID)在 25°C 下为 50 A,脉冲漏极电流(IDM)最高可达 200 A。
    - 热特性:最大结温(TJ)可达 175 °C;最大结至环境热阻(RthJA)为 62 °C/W(空气),3.7 °C/W(PCB安装)。
    - 动态参数:体二极管的反向恢复时间(trr)为 130 至 180 ns;体二极管的反向恢复电荷(Qrr)为 0.84 至 1.3 μC。
    - 门极驱动:阈值电压(VGS(th))范围为 1.0 至 3.0 V;零门极电压下的漏极电流(IDSS)为 25 μA。

    产品特点和优势


    NTB45N06LT4G 具有以下独特功能和优势:
    - 低RDS(on):在 VGS=10 V 条件下,导通电阻(RDS(on))仅为 0.023 Ω,保证高效能电力转换。
    - 快切换速度:具备快速的开关速度和动态 dv/dt 额定值,适于高频应用。
    - 逻辑级门驱动:可直接连接到微控制器或逻辑电路,简化电路设计。
    - 高可靠性:满足 RoHS 和无卤素标准,适合环保要求高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    NTB45N06LT4G 广泛应用于电机驱动、电源管理及高频开关等领域。在具体使用中,可以参考手册中提供的图例,确保在高频工作环境下稳定运行。建议在设计时考虑散热措施以避免热积聚,同时采用低杂散电感布局,增强电路稳定性。

    兼容性和支持


    NTB45N06LT4G 与多种其他电子元器件和设备具有良好的兼容性,可广泛应用于不同的电路设计中。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用其高性能特点。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:电路启动时电流过高。解决方法:检查门极驱动信号,确保门极电压符合要求,避免瞬态电流过大。
    - 问题2:器件过热。解决方法:增加散热措施,如安装散热片或采用散热更好的 PCB 材料。

    总结和推荐


    总体而言,NTB45N06LT4G 是一款性能卓越的 N-沟道 MOSFET,其在功率管理和高频开关应用中的表现尤为出色。考虑到其高可靠性和广泛的适用范围,强烈推荐用于需要高效、稳定的电力转换和控制的应用场景。

NTB45N06LT4G-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 40A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTB45N06LT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTB45N06LT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTB45N06LT4G-VB NTB45N06LT4G-VB数据手册

NTB45N06LT4G-VB封装设计

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