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N310AS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.8~2.0Vth(V) 封装:TO263\n适用于各种电源和功率控制应用,特别是在需要高效能和低导通电阻的场合,包括电源模块、电机驱动模块、电动车充放电模块以及LED驱动模块等。
供应商型号: N310AS-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N310AS-VB

N310AS-VB概述


    产品简介


    N310AS 是一款高性能的N沟道30V(D-S)175℃ MOSFET,采用先进的TrenchFET® 技术。这款MOSFET具有低热阻封装,适用于广泛的工业和消费电子应用。它具有高可靠性,支持高达175℃的工作温度,并且经过100%的栅极电阻(Rg)和雪崩耐受性(UIS)测试。适用于电源转换、电机控制、照明系统等多个领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压 \(V{DS}\): 30V
    - 最大连续漏极电流 \(ID\): 70A
    - 漏极-源极导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10V\): 0.006Ω
    - \(V{GS} = 4.5V\): 0.008Ω
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 250A
    - 最大功率耗散 \(PD\): 71W (TC = 25°C), 23W (TC = 125°C)

    - 绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 \(V{DS}\): 30V
    - 栅极-源极电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 最大连续源极电流 \(IS\): 70A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 33A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 54mJ
    - 其他电气特性
    - 开关特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 1850pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 2200pF
    - 总门极电荷 \(Qg\): 46nC (VGS = 10V, VDS = 20V, ID = 50A)
    - 门极-源极电荷 \(Q{gs}\): 10nC
    - 门极-漏极电荷 \(Q{gd}\): 8nC
    - 热阻率
    - 结到环境热阻 \(R{thJA}\): 50°C/W (PCB安装)
    - 结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 2.1°C/W

    产品特点和优势


    N310AS具有以下几个显著的特点和优势:
    1. 高效能: N310AS采用TrenchFET®技术,具备超低的\(R{DS(on)}\),即使在高电流条件下也能保持较低的损耗。
    2. 高可靠性: 100%的Rg和UIS测试确保了产品的可靠性,可以在极端环境下稳定运行。
    3. 宽温范围: 可以承受-55℃到+175℃的极端温度范围,适合于各种恶劣环境的应用。
    4. 低热阻: 封装设计使其具有较低的热阻,可以有效散热,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    N310AS广泛应用于多种电子系统中,如开关电源、电机驱动和汽车电子等。以下是一些具体的应用案例和使用建议:
    1. 开关电源: 在设计开关电源时,选择N310AS可以显著降低电路的整体功耗,提高效率。
    2. 电机驱动: 由于其优秀的热特性,N310AS非常适合用于电机驱动器的设计,尤其是在需要高频切换的场合。
    3. LED照明: 在LED照明系统中,N310AS可以帮助减少驱动电路的体积,同时保持高效率。

    兼容性和支持


    N310AS可以与大多数标准电源管理和驱动模块兼容。制造商提供全面的技术支持,包括详细的规格文档、应用指南和技术支持服务。如果您需要任何帮助,可以通过服务热线400-655-8788联系制造商获取更多支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 在高温环境下,如何避免过热?
    - A: 确保正确安装散热片并使用适当的冷却措施。合理布局电路板,以增强空气流通。
    2. Q: 如何确保产品在极端温度下可靠工作?
    - A: 在设计时考虑温度补偿,并选择合适的封装材料以适应极端温度变化。
    3. Q: 如何优化电路以提高整体效率?
    - A: 使用N310AS的低\(R{DS(on)}\)特性,通过优化电路设计来减少损耗,提高效率。

    总结和推荐


    N310AS是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,具有出色的电气特性和广泛的温度适应性。其高效的转换能力和出色的散热能力使其成为各种应用的理想选择。总的来说,我们强烈推荐使用N310AS,特别是对于需要高性能、高可靠性的应用场合。

N310AS-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.0V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 70A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

N310AS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N310AS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 N310AS-VB N310AS-VB数据手册

N310AS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
800+ ¥ 1.4911
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