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K2408-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: K2408-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2408-VB

K2408-VB概述

    K2408-VB MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K2408-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高压和高频开关应用设计。这种 MOSFET 具备低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度,使其适用于电机驱动、电源转换和电动汽车充电等多种领域。

    技术参数


    以下是 K2408-VB 的主要技术参数:
    - VDS(漏源电压): 500 V
    - RDS(on)(导通电阻): 在 VGS = 10 V 时为 0.660 Ω
    - Qg(总栅极电荷): 最大值为 81 nC
    - Qgs(栅极-源极电荷): 20 nC
    - Qgd(栅极-漏极电荷): 36 nC
    - 绝对最大额定值:
    - VGS(栅极-源极电压): ±20 V
    - ID(连续漏极电流): 在 VGS = 10 V 时为 13 A,当温度升至 100°C 时为 8.1 A
    - EAS(单脉冲雪崩能量): 560 mJ
    - EAR(重复雪崩能量): 25 mJ
    - PD(最大功率损耗): 在 TC = 25 °C 时为 250 W
    - TJ(结温和存储温度范围): -55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg): 低栅极电荷意味着更简单的驱动要求,降低了驱动电路的复杂度和成本。
    - 高可靠性: K2408-VB 的设计提高了栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,保证了其在高压和高频应用中的可靠运行。
    - 全面的参数化: 包括栅极电容和雪崩电压在内的各项参数均经过完全表征,确保了其在各种条件下的稳定表现。
    - 环保合规: 符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC,体现了公司在环保方面的承诺。

    应用案例和使用建议


    K2408-VB MOSFET 适合应用于电机驱动系统、DC-DC 转换器和电池充电器等领域。在使用过程中,需要注意以下几点:
    - 驱动电路设计: 由于 Qg 较低,可以简化驱动电路的设计,降低功耗。
    - 热管理: 确保良好的散热条件,特别是在高功率应用中。
    - 保护措施: 针对可能的雪崩事件,需要设计有效的保护电路,避免器件损坏。

    兼容性和支持


    K2408-VB MOSFET 采用 TO-220AB 封装,可直接安装在标准散热器上。对于技术支持和售后保障,客户可以通过服务热线 400-655-8788 或访问网站 www.VBsemi.com 获取相关信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题一: 设备在高温度环境下无法正常工作。
    - 解决方案: 确保良好的散热条件,可以考虑使用散热器或其他被动冷却方法。
    - 问题二: 驱动电路复杂,导致能耗增加。
    - 解决方案: 利用低 Qg 特性简化驱动电路设计,减少功耗。
    - 问题三: 高频应用下,开关损耗过高。
    - 解决方案: 使用高频专用的驱动器,优化驱动波形,降低开关损耗。

    总结和推荐


    K2408-VB MOSFET 以其低栅极电荷、高可靠性和全面参数化等特点,成为高压和高频应用的理想选择。它不仅简化了驱动电路设计,还提供了出色的热管理和保护措施。因此,我们强烈推荐 K2408-VB MOSFET 用于各种高要求的应用场景。

K2408-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 13A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K2408-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2408-VB数据手册

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K2408-VB封装设计

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