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K3638-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: K3638-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3638-VB

K3638-VB概述


    产品简介


    产品名称: N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
    产品类型: TrenchFET Power MOSFET
    主要功能: 这是一款适用于多种应用场景的N沟道MOSFET,能够在宽温度范围内稳定工作。它以其低导通电阻和高可靠性而闻名,特别适用于开关电源、电机驱动和其他功率控制应用。
    应用领域:
    - 开关电源
    - 电机驱动
    - 工业自动化设备
    - 电信设备
    - 汽车电子系统

    技术参数


    - 最大耐压(VDS): 20V
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C: 100A
    - TC = 100°C: 80A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 200A
    - 最大源极电流(IS): 65A
    - 最大功耗(PD):
    - TC = 25°C: 71W
    - TA = 25°C: 8.3W
    - 最高工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 热阻(RthJA): 最大值为50°C/W(稳态)
    - 静态参数
    - 击穿电压(V(BR)DSS): 20V
    - 门阈电压(VGS(th)): 0.5V
    - 门体泄漏电流(IGSS): -100nA
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss): 3660pF
    - 输出电容(Coss): 730pF
    - 传输电容(Crss): 375pF
    - 总栅极电荷(Qg): 26-35nC
    - 上升时间(tr): 120-190ns
    - 下降时间(tf): 20-35ns
    - 源极-漏极二极管参数
    - 脉冲电流(ISM): 100A
    - 二极管正向电压(VSD): 1.2-1.5V

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(rDS(on)): 在不同条件下具有极低的导通电阻,例如在VGS = 4.5V时为0.0045Ω。
    2. 高耐温性: 可承受高达175°C的工作结温,适用于严苛的工作环境。
    3. 全面测试: 100% Rg测试确保产品质量。
    4. 高可靠性: 适用于工业自动化、汽车电子等领域,能够提供长时间稳定运行。
    5. 小体积: TO-252封装使得产品尺寸紧凑,便于集成。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品适用于开关电源中,如服务器电源和通信设备中的开关电源转换器。其高耐温性和低导通电阻使其成为此类应用的理想选择。
    使用建议
    1. 电路设计: 为了最大限度地发挥其性能,应在设计时考虑适当的散热措施,特别是当环境温度较高时。
    2. 操作环境: 确保工作环境的温度不超过其绝对最大额定值,避免过热现象。
    3. 热管理: 在使用过程中,合理规划PCB布局,确保良好的热传导路径,减少内部温度升高。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品与现有的许多电子元器件和设备兼容,可广泛应用于不同的应用场合。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛、客户技术支持热线(400-655-8788)以及详细的用户手册。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 产品工作时出现异常发热?
    - A: 检查散热片是否安装正确并足够,同时确认电路板上的走线是否有过多热阻。
    2. Q: 如何确定合适的栅极电阻(Rg)?
    - A: 一般情况下,使用2.5Ω至3.7Ω的栅极电阻。可以根据具体的应用需求进行调整,但需注意不要使栅极电阻过大,以免影响开关速度。
    3. Q: 产品在高温环境下工作不稳定?
    - A: 检查产品是否按照规定的最大结温范围操作。如果需要在极端高温环境下使用,可以增加外部散热措施。

    总结和推荐



    总结

    :
    这款N-Channel 20-V (D-S) MOSFET凭借其出色的导通电阻、高耐温性和高可靠性,在多种应用场景中表现优异。其低热阻、全面测试和紧凑的封装设计使其成为电源管理和电力控制领域的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐使用这款MOSFET产品,特别是在需要高性能和高可靠性的开关电源和电机驱动应用中。对于用户来说,只要正确设计电路并注意散热管理,可以充分发挥其优点,提高系统的整体性能。

K3638-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 15V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 145A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3638-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3638-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3638-VB K3638-VB数据手册

K3638-VB封装设计

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500+ ¥ 1.5558
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