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2SK1446-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 2SK1446-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1446-VB

2SK1446-VB概述

    2SK1446-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SK1446-VB 是一款高效率的N沟道功率MOSFET,专为高性能电源转换应用设计。它具有低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),使其在多种电源应用中表现出色。其关键应用领域包括服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应以及照明系统。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) 650 V |
    | 门极源极电压 (VGS) | ±30 V |
    | 持续漏电流 (TJ = 150 °C) | 25 °C 时 | 12 A | 100 °C 时 | 9.4 A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) 260 mJ mJ |
    | 最大功率耗散 (PD) 3.6 W/°C W |
    | 热阻 (RthJA) 60 °C/W °C/W |
    | 静态参数
    | 漏源击穿电压 (VDS) 650 V |
    | 门极源极阈值电压 (VGS(th)) | 3 | 5 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 10 V 时 10 A 时 | 0.21 Ω |
    | 动态参数
    | 输入电容 (Ciss) | 0 V 时 100 V 时 | 1100 pF |
    | 总门极电荷 (Qg) | 10 V 时 | 43 nC | 520 V 时 | 96 nC |
    | 开启延迟时间 (td(on)) | 520 V 时 | 13 ns | 25 ns

    产品特点和优势


    1. 低损耗:具备较低的RDS(on)和Qg,可有效降低开关损耗和传导损耗。
    2. 超低门极电荷:有助于提高系统的整体能效。
    3. 高可靠性:通过ULTRA LOW GATE CHARGE技术,减少了门极电荷导致的能耗损失。
    4. 宽工作温度范围:-55到+150°C的工作温度范围确保了其在极端环境下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源供应:利用其低损耗特性,减少电源转换过程中的能量损失。
    - LED照明系统:特别是在大功率LED灯具中,可以实现更高效的能量转换。
    使用建议:
    - 在选择驱动电阻时,需考虑其对开关时间的影响,以确保最佳性能。
    - 在高压应用环境中,应注意散热设计以保持其可靠运行。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该器件适用于标准TO-220封装,易于安装于PCB板上。
    支持和服务:
    - 提供详细的技术支持文档和专业客户服务,确保客户在使用过程中获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开启时出现过冲。
    解决方案: 增加门极电阻值,以减缓开关速度并限制过冲。

    2. 问题: 设备无法启动。
    解决方案: 检查接线是否正确,确认门极电压达到阈值。

    总结和推荐


    2SK1446-VB是一款具有低损耗、高可靠性的N沟道650V功率MOSFET,特别适合用于高要求的应用环境,如服务器、电信电源和LED照明系统。其独特的技术参数使其在同类产品中具有显著的竞争优势。基于以上特性及应用案例,我们强烈推荐在相关应用中使用此产品。

2SK1446-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK1446-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1446-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1446-VB 2SK1446-VB数据手册

2SK1446-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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