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P8008BDA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: P8008BDA-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P8008BDA-VB

P8008BDA-VB概述

    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一种采用沟槽工艺的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它的主要功能是在电路中作为开关元件使用,能够控制高电流和高电压的应用场合。其主要应用领域包括电源管理、电机驱动、LED照明以及各种开关电源设计。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术规格和技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 100 V |
    | 门阈电压 | VGS(th) | V |
    | 门体漏电流 | IGSS | ±100 nA
    | 无门电压漏电流 | IDSS | 1 | 50 | 250 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.013 | 0.015 | 0.140 | Ω |
    | 动态特性
    | 输入电容 | Ciss | 950 pF |
    | 输出电容 | Coss | 120 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 60 pF |
    | 总门电荷 | Qg | 24 | 41 | nC |
    其他参数还包括最大功率耗散、热阻抗、安全工作区等详细指标,这些参数都确保了器件的可靠性和高性能表现。

    3. 产品特点和优势


    该N-Channel 100 V (D-S) MOSFET具有以下特点和优势:
    - TrenchFET® 功率MOSFET:采用先进的沟槽工艺,提高了效率和可靠性。
    - 最高结温可达175°C:适用于高温环境下的应用。
    - PWM优化:适用于脉宽调制(PWM)电路。
    - 100% Rg测试:保证了每一个产品都经过严格的门极电阻测试。
    - 符合RoHS标准:环保合规,确保无害化生产。
    这些特性使得该产品在市场上具有很强的竞争优势,特别适用于需要高可靠性的工业和消费电子应用。

    4. 应用案例和使用建议


    根据手册中的应用示例,此MOSFET可以应用于各种电源管理和电机驱动系统中。例如,在一个典型的电机驱动系统中,该器件可作为主侧开关使用,以控制电机的启动和停止。
    使用建议:
    - 确保在高温环境下工作时,进行充分的散热设计,以避免过热损坏。
    - 在高频率开关应用中,应注意输入电容和输出电容的影响,以减少损耗。
    - 使用过程中,根据实际负载需求选择合适的驱动电阻,确保MOSFET的稳定工作。

    5. 兼容性和支持


    该N-Channel 100 V (D-S) MOSFET采用了标准的TO-252封装,易于与其他器件集成。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。如有任何技术问题,可以通过官方服务热线(400-655-8788)联系技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是技术手册中提及的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:器件过热。
    - 解决方法:增加散热片或改进散热设计,确保良好的热传导。

    - 问题:工作时出现异常噪声。
    - 解决方法:检查输入和输出电容的值,确保它们符合电路要求,并适当选择低ESR电容。
    - 问题:漏电流过大。
    - 解决方法:重新确认电路设计,确保所有的连接点都紧固,并检查是否有外部干扰。

    7. 总结和推荐


    总结:
    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 具备高可靠性、良好的性能和广泛的适用范围。它的主要优点包括先进的沟槽工艺、高温度操作能力以及符合RoHS标准的环保设计。
    推荐:
    该产品非常适合用于需要高可靠性和高性能的电源管理和电机驱动系统中。强烈推荐在相关应用中使用此MOSFET,以提升系统的整体性能和稳定性。

P8008BDA-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

P8008BDA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P8008BDA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P8008BDA-VB P8008BDA-VB数据手册

P8008BDA-VB封装设计

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