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WFF2N65B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: WFF2N65B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF2N65B-VB

WFF2N65B-VB概述

    WFF2N65B N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WFF2N65B 是一款由台湾 VBsemi 电子有限公司生产的 N-Channel 650V 功率 MOSFET。这款 MOSFET 主要应用于高压直流转换、电源开关及电机控制等领域,具备低导通电阻和高可靠性的特点,能够有效降低驱动需求并提高系统效率。

    2. 技术参数


    以下是 WFF2N65B 的主要技术规格:
    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 VDS | 650V |
    | 导通电阻 RDS(on) | 4.0Ω @ VGS = 10V |
    | 总栅极电荷 Qg | 11nC |
    | 输入电容 Ciss | 1000pF |
    | 输出电容 Coss | 45pF |
    | 反向传输电容 Crss | 5pF |
    | 最大功率耗散 PD | 25W @ TC = 25°C |
    | 最大门源电压 VGS | ±30V |
    | 最大门电流 IGSS | ±100nA @ VGS = ±30V |
    | 最大连续漏极电流 ID | 1.28A @ TC = 25°C |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 165mJ |
    | 最大结温 TJ | -55°C 至 +150°C |

    3. 产品特点和优势


    WFF2N65B 的主要特点和优势包括:
    - 低栅极电荷 Qg:简化驱动要求,减少能耗。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性:提升器件可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压、电流:确保稳定性和一致性。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:环保合规。

    4. 应用案例和使用建议


    WFF2N65B 常用于高压转换电路和电源开关。例如,在逆变器和电机驱动应用中,它可以有效地降低系统功耗,提升能效。使用时,建议确保驱动电路的稳定性,特别是在瞬态负载变化下,以避免过压现象。此外,合理选择散热方式也是保障其长期稳定工作的关键。

    5. 兼容性和支持


    WFF2N65B 与多种电子元器件和设备兼容,厂商提供详细的技术支持和售后服务。如有任何疑问或技术支持需求,可拨打服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:驱动电路不稳定导致频繁关断。
    解决办法:增加滤波电容,优化驱动信号。
    - 问题:温度过高导致性能下降。
    解决办法:改善散热设计,使用散热片或风扇进行强制散热。
    - 问题:过载保护失效。
    解决办法:检查电路连接,适当调整保护阈值。

    7. 总结和推荐


    总体而言,WFF2N65B 在性能和可靠性方面表现出色,适用于高压和高频应用场合。其出色的耐压能力和低导通电阻使其成为高压直流转换、电源开关及电机控制的理想选择。推荐在需要高效、可靠的高压 MOSFET 应用中使用此产品。

WFF2N65B-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF2N65B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF2N65B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF2N65B-VB WFF2N65B-VB数据手册

WFF2N65B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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型号 价格(含增值税)
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