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D6N60HA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: D6N60HA-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) D6N60HA-VB

D6N60HA-VB概述


    产品简介


    D6N60HA 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高压、大电流应用设计。它适用于各种电力转换应用,如电机驱动、电源转换、光伏逆变器及工业控制等领域。该产品以其出色的电气特性和卓越的可靠性在市场上脱颖而出。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10V 时,最大值为 0.95Ω
    - 栅极电荷 (Qg): 最大值为 15nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 3nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 6nC
    - 门极泄漏电流 (IGSS): 最大值 ±100nA
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS): 最大值为 10µA
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 16A
    - 最大重复性雪崩能量 (EAR): 34A
    - 有效输出电容 (Coss): 在 VDS = 520V 时,最大值为 83pF
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 需要查看具体型号规格
    - 结到环境热阻 (RthJA): 需要查看具体型号规格
    - 连续漏极电流 (ID): 在 TC = 25°C 时为 5A,在 TC = 100°C 时为 4A
    - 门级至源级击穿电压 (VGS): 最大值 ±30V
    - 门级至源级阈值电压 (VGS(th)): 2.0~4.0V
    - 峰值反向恢复电压 (dV/dt): 4.5V/ns
    - 存储温度范围: -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:有助于简化驱动要求,降低功耗。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 抗击穿能力:显著提高了耐用性和可靠性。
    3. 全面的电容和雪崩电压、电流特征:确保稳定可靠的性能。
    4. 符合 RoHS 指令:环保材料和生产工艺,满足欧盟环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动:在电机控制应用中,D6N60HA 可以高效地驱动大功率电机,减少能量损耗并提高系统效率。
    - 电源转换:用于开关电源中,提供高效的能量转换,同时保持系统的稳定性。
    - 光伏逆变器:可以用于光伏逆变器系统中,实现高效率的直流到交流转换。
    使用建议
    - 正确选择散热器:为了保证最佳性能,选择合适的散热器,避免过热。
    - 适当的门极驱动:根据应用需求选择合适的门极电阻和电容值,以优化门极电荷,减少功耗。
    - 考虑环境温度:在高温环境下使用时,需注意散热措施,避免热失控。

    兼容性和支持


    - 兼容性:D6N60HA 可与多种控制器和驱动电路兼容,广泛应用于工业控制系统和电源管理设备。
    - 支持和服务:厂商提供详尽的技术文档和应用指南,同时还提供技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免过温保护?
    - 解决方法:确保散热系统足够强大,适当选择散热器,并且在安装过程中注意布局,以避免过热。
    2. 问:门极电荷过高怎么办?
    - 解决方法:调整门极电阻和电容值,优化门极驱动电路,减少功耗。
    3. 问:反向恢复电流过大怎么办?
    - 解决方法:在设计电路时,使用低损耗二极管或增加旁路电容器来抑制反向恢复电流。

    总结和推荐


    D6N60HA 是一款优秀的 N 沟道功率 MOSFET,具备出色的电气性能和稳定性,适用于多种高压大电流应用。其低门极电荷和增强的抗冲击性能使得它在市场上具有较强的竞争力。无论是用于电机驱动、电源转换还是光伏逆变器,都能表现出色。因此,强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的客户。
    希望这篇详细的技术手册能帮助您更好地了解和使用 D6N60HA 产品。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

D6N60HA-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

D6N60HA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

D6N60HA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 D6N60HA-VB D6N60HA-VB数据手册

D6N60HA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
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