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K1214-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K1214-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1214-VB

K1214-VB概述

    K1214-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1214-VB 是一种 N 沟道增强型功率 MOSFET(场效应晶体管),属于 TrenchFET® 系列。它被广泛应用于电源管理、电机控制、通信设备等领域,特别是在需要高效率和可靠性的场合。K1214-VB 具有出色的热稳定性和低导通电阻,适用于多种严苛的工作环境。

    2. 技术参数


    K1214-VB 的主要技术规格如下:
    - 额定电压 (VDS):100 V
    - 最大栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID):25 °C 下 55 A,125 °C 下 40 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):35 A
    - 重复雪崩电流 (IAR):35 A
    - 雪崩能量 (EAR):61 mJ
    - 最大功耗 (PD):25 °C 下 127 W
    - 最高工作温度 (TJ):175 °C
    - 热阻 (RthJA):40 °C/W
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):100 V 下 <1 μA
    - 栅极漏极电荷 (Qgd):9 nC
    - 关断延迟时间 (td(off)):30-45 ns
    - 反向恢复时间 (trr):60-0 ns

    3. 产品特点和优势


    K1214-VB 具备以下独特的功能和优势:
    - 高耐温性:可承受高达 175 °C 的结温,适用于极端高温环境。
    - 低热阻封装:热阻值为 40 °C/W,保证了良好的散热性能。
    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽栅结构,确保低导通电阻和高可靠性。
    - 低栅极电荷:栅极电荷量小,有利于提高开关速度,降低损耗。
    这些特点使得 K1214-VB 在众多应用场景中表现出色,特别是在对效率和热稳定性要求较高的场合,如工业自动化、电源管理和汽车电子等。

    4. 应用案例和使用建议


    K1214-VB 可以应用于以下场景:
    - 开关电源:作为电源转换电路中的开关元件,实现高效能源转换。
    - 电机驱动:用于控制电机的启停和调速。
    - 逆变器:在光伏逆变器和风力发电系统中作为关键组件。
    - 通信设备:在通讯设备中作为信号开关和功率管理部件。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保栅极电压不超过 ±20 V,以避免损坏。
    - 注意散热设计,特别是在高电流应用中,以防止过热。
    - 在电路设计时考虑 K1214-VB 的反向恢复特性,以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    K1214-VB 采用 TO-220AB 封装,易于安装和替换其他同类产品。厂商提供了丰富的技术支持和服务,包括产品文档、测试报告和技术咨询,以帮助客户解决使用中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及解决方案:
    - 问题:工作温度超出范围
    - 解决方法:检查散热设计,确保工作温度不超出规范要求。
    - 问题:出现雪崩击穿现象
    - 解决方法:合理设置电路参数,确保漏极电压不超过额定值。
    - 问题:栅极振荡
    - 解决方法:优化电路布局,减少外部干扰。

    7. 总结和推荐


    总体来看,K1214-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET。它的高耐温性、低热阻封装以及优秀的开关性能使其在多种应用场景中表现出色。对于需要高效率和可靠性的系统来说,K1214-VB 是一个理想的选择。强烈推荐给需要高效、稳定的电力转换和控制系统的设计者。
    如有任何疑问或技术支持需求,欢迎联系厂商的服务热线:400-655-8788。

K1214-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 55A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1214-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1214-VB数据手册

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K1214-VB封装设计

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