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K2885L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K2885L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2885L-VB

K2885L-VB概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍了VBsemi公司的K2885L N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),这是一款高性能的功率MOSFET。该产品采用了先进的TrenchFET®技术,广泛应用于电源管理和开关应用中。K2885L的主要功能包括出色的导通电阻和低功耗特性,使其适用于服务器、OR-ing应用和直流/直流转换器等领域。

    技术参数


    - 最大电压:VDS = 30V
    - 连续漏极电流:ID = 1A(在TA = 25°C时),最高可达90A(受封装限制)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 200A
    - 瞬态电压系数:ΔVDS/TJ = 35mV/°C
    - 门源阈值电压:VGS(th) = 1.5 ~ 2.0V
    - 门源泄漏电流:IGSS = ± 100nA
    - 零门电压漏极电流:IDSS < 1μA(在TJ = 55°C时)
    - 最大耗散功率:PD = 100W(在TC = 25°C时)
    - 热阻:RthJA = 32°C/W(在最大工作条件下的最大值)

    产品特点和优势


    K2885L具有多种显著优势,主要包括:
    - 高可靠性:所有产品都经过100%的Rg和UIS测试。
    - 环保材料:符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,无铅,无卤素,适合绿色电子生产。
    - 优异的性能:导通电阻低至0.007Ω(在VGS = 10V时),确保低损耗运行。
    - 宽工作温度范围:-55°C到175°C,保证在各种极端环境下的稳定性能。

    应用案例和使用建议


    K2885L可应用于多种场合,包括服务器电源管理、OR-ing电路以及直流/直流转换器。对于不同的应用,建议如下:
    - 服务器电源:采用K2885L可以降低整体系统的发热,提高效率。
    - OR-ing电路:其高瞬态电压系数和低导通电阻可以有效减少压降和功率损失。
    - 直流/直流转换器:其高效的开关特性和低导通电阻有助于提升转换效率。

    兼容性和支持


    K2885L设计兼容大多数标准焊接工艺和电路板布局。对于需要进一步支持的客户,VBsemi提供详尽的技术文档和专业的技术支持团队,以帮助客户实现最佳性能和最长使用寿命。

    常见问题与解决方案


    以下是常见的问题及解决办法:
    - 问:产品如何进行散热?
    - 答:确保在安装过程中使用散热片或适当的散热材料,并遵循推荐的电气参数。
    - 问:如何确认产品的正确工作温度范围?
    - 答:根据技术手册中的工作温度范围进行操作,并根据具体应用进行适当调整。
    - 问:如何确定最佳的门极电阻?
    - 答:通过调整门极电阻来优化开关速度和降低开关损耗。

    总结和推荐


    K2885L N-Channel 30-V MOSFET凭借其卓越的导通电阻、广泛的适用温度范围和高可靠性,在服务器、电源管理和直流/直流转换器领域具有显著优势。我们强烈推荐该产品给需要高效、可靠电力解决方案的设计工程师和制造商。

K2885L-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2885L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2885L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2885L-VB K2885L-VB数据手册

K2885L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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2500+ ¥ 1.1597
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