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2SK2517-01L,S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: 2SK2517-01L,S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2517-01L,S-VB

2SK2517-01L,S-VB概述


    产品简介


    产品名称: 2SK2517-01L,S-VB
    类型: N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
    功能: 这是一款高压、高性能的功率MOSFET,采用TrenchFET®技术。它主要用于各种高可靠性应用,如电源转换、电机控制、照明系统和汽车电子等领域。该产品能够在高达175°C的结温下稳定运行,特别适用于高温环境下工作的设备。

    技术参数


    - 封装限制: 符合D2PAK(TO-263)标准
    - 最大结温: 175°C
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 持续漏极电流 \( ID \):
    - \( TJ = 175^\circ \text{C} \): 75 A
    - \( TC = 100^\circ \text{C} \): 50 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200 A
    - 单脉冲能量 \( E{AS} \): 125 mJ
    - 最大功耗:
    - \( TA = 25^\circ \text{C} \): 136 W
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 15-18 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.85-1.1 °C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1-3 V
    - 栅体泄漏 \( I{GSS} \): ± 100 nA
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 µA
    - 开启状态漏极电流 \( I{D(on)} \): 60 A
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 V \): 11 mΩ
    - \( V{GS} = 4.5 V \): 12 mΩ
    - 转导电容 \( g{fs} \): 60 S

    产品特点和优势


    - 耐高温特性: 能够在高达175°C的极端环境中稳定运行,确保在恶劣环境下的可靠性和稳定性。
    - 高性能TrenchFET®技术: 采用先进的TrenchFET®技术,提供更低的导通电阻和更高的开关速度,从而提高整体效率。
    - 宽范围的工作条件: 支持广泛的电压和温度范围,适用于多种应用环境。
    - 出色的电流处理能力: 具有较高的连续漏极电流和瞬态脉冲电流能力,确保在高负载情况下的稳定性能。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换: 在高效率的电源转换器中,该MOSFET能够提供高效的电流切换,减少损耗,提高系统的整体效率。
    - 电机控制: 在电机控制系统中,它能够快速响应并提供稳定的电流输出,确保电机的正常运行。
    - 汽车电子: 在汽车电子设备中,由于其耐高温特性,它能够在发动机舱等高温环境中保持良好的性能。
    - 使用建议: 为了确保最佳性能,建议在设计时考虑散热措施,尤其是在高负载条件下。此外,选择合适的栅极驱动电路可以进一步提高效率和稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与其他D2PAK封装的MOSFET具有良好的兼容性,可以方便地替换现有设计中的同类产品。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术支持,包括技术文档、测试报告和详细的用户指南。如果在使用过程中遇到任何问题,可以通过服务热线400-655-8788联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中出现过高的功耗。
    - 解决办法: 确保电路设计中包含了适当的散热措施,同时优化栅极驱动电路以降低开关损耗。
    2. 问题: 漏电流过高。
    - 解决办法: 检查电路连接是否正确,并确保所选栅极驱动电压满足产品规范要求。
    3. 问题: 温度升高导致性能下降。
    - 解决办法: 使用散热器或液体冷却系统来辅助散热,确保产品在规定的温度范围内工作。

    总结和推荐


    综合评估: 2SK2517-01L,S-VB 是一款性能卓越的高压功率MOSFET,具有出色的耐高温特性、高效的电流处理能力和广泛的应用范围。其独特的TrenchFET®技术使得它在众多应用场景中表现出色。
    推荐: 强烈推荐在需要高可靠性和高效能的应用中使用该产品,如电源转换器、电机控制和汽车电子设备。通过合理的散热设计和电路优化,可以获得最佳的性能和稳定性。

2SK2517-01L,S-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 75A
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2517-01L,S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2517-01L,S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2517-01L,S-VB 2SK2517-01L,S-VB数据手册

2SK2517-01L,S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
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