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K1133-T1B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K1133-T1B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1133-T1B-A-VB

K1133-T1B-A-VB概述

    N-Channel 60-V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    N-Channel 60-V MOSFET 是一种广泛应用于各种电子系统中的高性能电子元器件。该 MOSFET 主要用于逻辑电平接口(如 TTL/CMOS),驱动装置(例如继电器、电磁阀、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等),便携式电池系统,以及固态继电器等领域。这种器件具有低输入泄露电流、高开关速度和低阈值电压等特性,使其在高速电路和低误差电压要求的应用中表现出色。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 250mA (TA = 25°C), 150mA (TA = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 800mA
    - 功耗 (PD): 0.30W (TA = 25°C), 0.13W (TA = 100°C)
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 350°C/W
    - 工作结温和储存温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1V 至 2.5V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1μA (VDS = 60V, VGS = 0V)
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)): 500mA (VGS = 10V, VDS = 7.5V)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 2.8Ω (VGS = 10V, ID = 200mA)
    动态特性:
    - 总栅电荷 (Qg): 0.4nC 至 0.6nC
    - 输入电容 (Ciss): 25pF
    - 输出电容 (Coss): 5pF
    - 反向转移电容 (Crss): 2.0

    产品特点和优势


    - 低阈值电压:2V(典型)
    - 低输入电容:25pF
    - 快速开关速度:25ns
    - 低输入和输出泄露电流
    - TrenchFET® 电源 MOSFET 技术
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和无卤素标准 IEC 61249-2-21
    这些特性使得这款 MOSFET 在低压操作下表现优异,易于驱动且适用于高速电路,同时具有低误差电压的优势。

    应用案例和使用建议


    - 直接逻辑电平接口:可以轻松地与 TTL/CMOS 接口进行对接。
    - 驱动器:可以驱动继电器、电磁阀、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。
    - 电池操作的系统:由于其低功耗特性,适合用于电池供电设备。
    - 固态继电器:适用于需要高速响应的应用场合。
    使用建议:
    - 确保在脉冲宽度和占空比条件下合理使用脉冲漏极电流。
    - 根据应用需求选择合适的电源电压和驱动电阻。
    - 为防止热损伤,在使用过程中要注意散热措施。

    兼容性和支持


    - 该产品通过 SOT-23 封装,可与多种 PCB 板兼容。
    - 厂商提供详尽的技术支持,包括设计指南、应用说明及售后服务,确保客户在使用过程中能够获得及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 脉冲漏极电流不稳定
    - 解决方案: 检查驱动电阻并调整到合适的值。
    - 问题: 开启状态漏极电流不足
    - 解决方案: 确保工作电压符合要求,检查是否有外部因素影响。
    - 问题: 输出电容过大导致开关时间延长
    - 解决方案: 降低输出负载,优化电路设计。

    总结和推荐


    综上所述,这款 N-Channel 60-V MOSFET 具有诸多优点,包括低阈值电压、快速开关速度、低泄露电流和 TrenchFET® 技术等。其在各种应用场合中表现出色,特别是在电池操作的系统和高速电路中更为突出。考虑到厂商提供的技术支持和详细的应用说明,这款 MOSFET 无疑是值得推荐的产品。

K1133-T1B-A-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 300mA
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1133-T1B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1133-T1B-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1133-T1B-A-VB K1133-T1B-A-VB数据手册

K1133-T1B-A-VB封装设计

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