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WFF2N60B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: WFF2N60B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF2N60B-VB

WFF2N60B-VB概述

    高质量文章:WFF2N60B N-Channel 650V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WFF2N60B 是一款由 VBsemi 提供的 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻和高开关速度的特点。这种器件主要用于电源管理、电机驱动和其他需要高效功率转换的应用场景。由于其卓越的耐受能力和高可靠性,WFF2N60B 广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子等领域。

    2. 技术参数


    以下是 WFF2N60B 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | - | 4.0 | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 11 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1000 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 45 | - | pF |
    | 峰值开关速度 | dV/dt | - | - | 2.8 | V/ns |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +150 | °C |
    此外,该器件支持重复雪崩电流(IAR)达 2A,单脉冲雪崩能量(EAS)为 165mJ,完全符合 RoHS 指令。

    3. 产品特点和优势


    WFF2N60B 的显著特点是其低门极电荷(Qg),这减少了驱动电路的复杂度和功耗需求。此外,该器件还具备以下特点:
    - 高耐压能力:支持高达 650V 的漏源电压(VDS),适用于高压应用。
    - 优化的开关性能:快速开关时间(如关断延迟时间为 34ns,下降时间为 18ns)提升了系统效率。
    - 高可靠性:通过全面的雪崩和动态 dV/dt 测试,确保器件在极端条件下的稳定运行。
    这些特性使得 WFF2N60B 成为高性能功率转换领域的理想选择,同时提升了整体系统的效率和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    WFF2N60B 的典型应用场景包括开关电源、电机驱动器、不间断电源(UPS)和逆变器等。在设计应用时,建议:
    - 确保门极驱动电路的设计满足 VGS(最大值)±30V 的要求,避免过高的电压损坏器件。
    - 在高频开关应用中,需注意 PCB 布局,减少寄生电感以提高效率并降低电磁干扰(EMI)。
    - 对于高温环境下的应用,建议选择更大的散热片或强制冷却方案以保持良好的热稳定性。

    5. 兼容性和支持


    WFF2N60B 采用 TO-220 Fullpak 封装,与其他标准封装兼容,便于集成到现有系统中。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的数据手册、应用指南和在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见问题及其解决方法:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关波形出现振铃现象 | 添加吸收电容以抑制振铃;优化 PCB 布局 |
    | 热管理不佳导致性能下降 | 增加散热片或使用更高效的热管理方案 |
    | 开关频率异常波动 | 校准门极电阻值(RG)以稳定开关特性 |

    7. 总结和推荐


    WFF2N60B N-Channel 650V MOSFET 以其高耐压、低导通电阻和出色的开关性能,成为电力电子领域的重要选择。其卓越的可靠性和广泛的应用兼容性使其在市场上极具竞争力。因此,我们强烈推荐该产品用于需要高效能功率转换的应用场合。
    如果您正在寻找一款兼具性能和成本效益的功率 MOSFET,WFF2N60B 是您的理想之选。联系 VBsemi 的服务热线 400-655-8788 获取更多技术支持和服务。
    通过以上分析可以看出,WFF2N60B 是一款技术先进且易于应用的产品,非常适合现代电力电子设备的需求。

WFF2N60B-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF2N60B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF2N60B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF2N60B-VB WFF2N60B-VB数据手册

WFF2N60B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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