处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE30H25D-VB

NCE30H25D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO263;N—Channel沟道,30V;260A;RDS(ON)=1.9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: NCE30H25D-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE30H25D-VB

NCE30H25D-VB概述

    N-Channel 30 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款专为高功率应用设计的电子元器件。它具备低栅极电阻、低导通电阻(RDS(on))和卓越的热性能。该产品广泛应用于电源转换、电机控制和电池管理等领域。

    2. 技术参数


    以下是该N-Channel 30 V MOSFET的主要技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 30 | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ± 20 | V |
    | 持续漏极电流 (TC = 25 °C) | 260 | A |
    | 最大功率耗散 (TC = 25 °C) | 375 | W |
    | 最大结温 (TJ) | 175 | °C |
    | 热阻抗 (RthJA) | 40 | °C/W |
    | 导通电阻 (VGS = 10 V) | 0.0014 | Ω |
    | 输入电容 (Ciss) | 12 ~ 484 | pF |
    | 输出电容 (Coss) | 2204 ~ 2755 | pF |
    | 门电阻 (Rg) | 0.59 ~ 1.79 | Ω |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电阻:有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 高导通能力:最高可达260A的持续漏极电流,适用于高功率应用。
    - 宽温度范围:可在-55°C至+175°C范围内正常工作,确保在极端环境下稳定运行。
    - 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准,环保且安全。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令,确保产品在电气和电子设备中的安全性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器:用于DC-DC转换,如电动车充电器。
    - 电机驱动:适合工业自动化中的电机控制系统。
    - 电池管理系统:监控和调节电池充放电过程中的电流。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,需注意散热设计以保持设备正常运行。
    - 应避免超出绝对最大额定值的操作条件,以防损坏设备。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:可与其他常见的电路板和配件兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持:提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够正确安装和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:MOSFET在高温下无法正常工作。
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热设计,如风冷或水冷系统。

    - 问题二:MOSFET在长时间工作后出现过热现象。
    - 解决方案:检查负载电流是否过大,适当调整电流限制以防止过热。

    7. 总结和推荐


    总结:这款N-Channel 30 V MOSFET凭借其出色的导通电阻、高耐热能力和无卤素材料特性,在多种高功率应用中表现出色。其宽泛的工作温度范围使其能够在严苛的环境中稳定运行。
    推荐:强烈推荐该产品给需要高可靠性、高效率及宽工作温度范围的应用场合。无论是电源转换还是电机控制,该产品都是理想选择。

NCE30H25D-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.9mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 260A
通用封装 TO-263

NCE30H25D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE30H25D-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE30H25D-VB NCE30H25D-VB数据手册

NCE30H25D-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504