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K3595-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F\n由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: K3595-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3595-01MR-VB

K3595-01MR-VB概述

    # N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 200V (D-S) MOSFET(型号 K3595-01MR-VB)是一款高性能的表面贴装型电子元器件,具有低功耗、快速开关、动态dv/dt评级以及全面雪崩额定值等特点。该产品广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域,支持无卤素设计并符合RoHS指令。
    主要功能
    - 低功耗设计:提供高效率的电能转换。
    - 快速开关:适合高频电路需求。
    - 全面雪崩保护:保障设备安全运行。
    - 无卤素和环保材料:满足现代环保要求。

    技术参数


    以下是K3595-01MR-VB的技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 200 V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流(TC=25°C)| ID 20 | 14 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 72 | A |
    | 击穿能量(单脉冲) | EAS 580 | mJ |
    | 反向恢复时间 | trr 300~610 ns |
    | 门极电荷 | Qg 64 nC |
    其他关键参数包括热阻抗、击穿电压温度系数等。

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低功耗设计:减少能量损耗,提升整体效率。
    - 快速开关能力:适用于高频开关应用,提高系统响应速度。
    - 全面雪崩保护:确保极端条件下的设备稳定性。
    - 无卤素材料:符合环保标准,便于回收利用。
    市场竞争力
    该产品以其优异的性能表现,在功率管理领域具有显著的竞争优势。其快速开关能力和高效的能量转换使得它成为众多工业和消费电子产品制造商的首选。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:用于DC-DC转换器中,实现高效能量转换。
    - 电机驱动:作为驱动电路的核心组件,支持高速运转。
    - 工业控制:应用于各种自动化控制系统,确保可靠运行。
    使用建议
    - 散热管理:由于工作温度较高,需注意良好的散热措施。
    - 电路布局优化:减少寄生电感和电容的影响,提高整体性能。
    - 测试与验证:针对具体应用进行详细的测试和验证,确保最佳效果。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 支持主流PCB布局设计工具,方便集成到现有系统中。
    - 与多种驱动器芯片兼容,简化系统开发流程。
    厂商支持
    - 提供详尽的技术文档和技术支持服务。
    - 定期更新产品信息以反映最新的技术进展。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的驱动电阻?
    解决方案:根据应用负载和频率需求,通过计算确定最佳驱动电阻值,通常推荐范围为10~20欧姆。
    问题2:如何避免过热现象?
    解决方案:加强散热设计,使用更大的散热片或风扇来降低工作温度。

    总结和推荐


    综合评估
    K3595-01MR-VB是一款性能卓越的N通道200V MOSFET,具备低功耗、高可靠性及良好兼容性等优点,特别适合需要高效能电力传输的应用场合。
    推荐结论
    鉴于其出色的性能指标和广泛的应用场景,强烈推荐此产品给所有寻求高性能电力管理解决方案的客户。

K3595-01MR-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3595-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3595-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3595-01MR-VB K3595-01MR-VB数据手册

K3595-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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