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PHX6ND50E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 14M-PHX6ND50E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHX6ND50E-VB

PHX6ND50E-VB概述

    PHX6ND50E N-Channel Power MOSFET

    1. 产品简介


    PHX6ND50E 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为各种电力应用设计。这类器件以其低导通电阻(RDS(on))、快速开关能力和低栅极电荷(Qg)而闻名。这些特点使其在诸如服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应及照明系统中得到广泛应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (VDS) | - | - | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | 1 Ω | - | Ω |
    | 栅极电荷 (Qg) | - | 16 nC | - | nC |
    | 栅极电容 (Ciss) | - | - | - | pF |
    | 输出电容 (Coss) | - | - | - | pF |
    | 反向转移电容 (Crss)| - | - | - | pF |
    此外,该MOSFET具有良好的热阻抗和可靠性,适用于高功率应用。

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):使得导通损耗最小化,从而提高整体效率。
    - 低栅极电荷 (Qg):减少开关损耗,提升高频开关能力。
    - 低输入电容 (Ciss):加速开关速度,降低控制信号的延时。
    - 低开关和传导损耗:结合上述特性,显著提高能效。
    - 雪崩耐受能力:能够承受高能量瞬态,确保长期可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    PHX6ND50E 在多种电力电子应用中表现出色,特别是在高压逆变器和高效转换器中。例如,在服务器和电信电源供应系统中,它可以显著提高能源效率并降低系统温度。在照明系统中,如高强度放电灯(HID)和荧光灯,其快速开关特性有助于改善照明质量。
    使用建议:
    - 确保散热良好,以保持器件的工作温度在安全范围内。
    - 注意电路布局,尽量减小寄生电感,以防止电压过冲和其他不稳定现象。
    - 选择适当的驱动电阻(Rg)以优化开关时间。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET采用TO-220 FULLPAK封装,与现有的许多电源模块兼容。厂商提供详尽的技术支持,包括样品请求、应用指南和技术咨询。客户可以随时联系400-655-8788服务热线获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:频繁触发短路保护
    - 解决方法:检查电路布局,确保栅极驱动信号稳定;增加栅极电阻以减少振铃。

    - 问题:温度过高
    - 解决方法:优化散热设计,安装散热片或使用强制风冷装置。

    7. 总结和推荐


    综上所述,PHX6ND50E N-Channel Power MOSFET凭借其出色的性能、可靠性和多样化的应用领域,成为电力电子工程师的理想选择。建议在需要高效、高速和高可靠性应用的场合优先考虑此款产品。

PHX6ND50E-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PHX6ND50E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHX6ND50E-VB数据手册

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PHX6ND50E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.0657
10+ ¥ 4.7677
30+ ¥ 4.2552
100+ ¥ 3.1884
1000+ ¥ 3.0692
3000+ ¥ 2.9798
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