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K3577-T1B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: K3577-T1B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3577-T1B-A-VB

K3577-T1B-A-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为N-Channel 30-V MOSFET。其采用TrenchFET®技术,具备出色的导电性能和可靠性,广泛应用于直流/直流转换器等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30V
    - 最大连续漏极电流 (ID):6.5A (TC = 25°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = 10V时:0.030Ω
    - 在VGS = 4.5V时:0.033Ω
    - 栅极电荷 (Qg):
    - 在VGS = 10V时:4.5nC
    - 在VGS = 4.5V时:2.1nC
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 150°C
    - 热阻 (RthJA):典型值为90°C/W,最大值为115°C/W

    产品特点和优势


    - 环保特性:符合RoHS标准,无卤素材料。
    - 高性能:通过TrenchFET®技术,实现低导通电阻和高效能。
    - 可靠设计:所有产品均经过100%栅极电阻测试,确保高品质。
    - 广泛应用:适用于各种电子设备中的DC/DC转换器,如电源管理、通信设备等。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:此MOSFET广泛应用于直流/直流转换器中,作为开关元件使用。例如,在电源适配器和电池管理系统中可以有效降低功耗并提高效率。
    - 使用建议:
    - 散热管理:在高负载条件下需考虑外部散热措施,以避免过热。
    - 保护电路:在设计电路时,建议添加合适的保护电路(如TVS二极管)以防止静电放电损坏器件。
    - 匹配选择:根据具体应用需求,合理选择不同的栅极驱动电压(VGS)以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数现代电子设备,尤其适合集成在小型化模块中使用。
    - 技术支持:VBsemi公司提供全面的技术支持服务,包括产品选型指导、应用设计咨询及售后维护服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动过程中发现MOSFET发热严重。
    - 解决方案:检查电路设计是否存在过载情况;若散热不良,增加外部散热装置。
    - 问题2:运行过程中出现异常噪声。
    - 解决方案:检查输入输出电容是否足够大,适当增大滤波电容容量。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其出色的性能、环保特性和广泛应用领域,在市场上具有很强的竞争力。无论是对于电源管理还是其他需要高效能开关的应用场合,它都是一个非常理想的选择。因此,强烈推荐在相关应用中采用此款产品。

K3577-T1B-A-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 6.5A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3577-T1B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3577-T1B-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3577-T1B-A-VB K3577-T1B-A-VB数据手册

K3577-T1B-A-VB封装设计

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500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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