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FCPF20N60T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: FCPF20N60T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCPF20N60T-VB

FCPF20N60T-VB概述

    FCPF20N60T-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    FCPF20N60T-VB是一款N沟道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率应用。它具有极低的通态电阻和电容,使得在高频率下的开关损耗非常低,适合用于服务器电源、电信电源、功率因数校正电源(PFC)以及工业照明等领域。

    技术参数


    以下是FCPF20N60T-VB的主要技术参数:
    - 漏源电压 (VDS): 最大值为650V
    - 通态电阻 (RDS(on)): 在25°C时为0.19Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 典型值为71nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 14nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 33nC
    - 连续漏电流 (ID): 25°C时为20A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 重复限制
    - 雪崩能量 (EAS): 360mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 200W
    - 绝对最高结温 (TJ, Tstg): -55°C至+150°C
    - 热阻 (RthJA): 62°C/W (最大)
    - 热阻 (RthJC): 0.5°C/W (最大)

    产品特点和优势


    - 低损耗: 极低的通态电阻和电荷,显著降低开关和传导损耗。
    - 高可靠性: 良好的雪崩耐受能力和高温稳定性。
    - 快速响应: 低栅极电荷确保快速的开关速度。
    - 广泛适用性: 可用于多种高功率应用场合,包括电源管理和工业照明。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 这些应用需要高效能和可靠的电源转换,FCPF20N60T-VB因其低损耗和高可靠性非常适合此类应用。
    - 工业照明: 在高功率照明应用中,FCPF20N60T-VB的低导通电阻和高可靠性使其成为理想的选件。
    使用建议:
    - 确保驱动电路的栅极电阻(Rg)设置适当,以避免过高的栅极电荷引起的损坏。
    - 在高频应用中,应注意散热设计,确保器件在正常工作温度范围内运行。

    兼容性和支持


    FCPF20N60T-VB是基于标准TO-220封装,易于与其他标准设备连接。制造商提供详尽的技术支持,包括设计指南和故障排除手册,以便客户能够更好地使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温环境下器件过热。
    - 解决方案: 优化散热设计,确保良好的热管理。
    - 问题2: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 选择合适的栅极电阻(Rg)和去耦电容,减少振铃现象。
    - 问题3: 高频应用中的开关损耗增加。
    - 解决方案: 优化驱动信号,减少开关时间并提高驱动强度。

    总结和推荐


    FCPF20N60T-VB凭借其出色的性能和广泛的适用范围,在高性能电力电子应用中表现优异。其低损耗、高可靠性以及易于集成的特点使其成为许多应用场景的理想选择。我们强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高效能和可靠性的应用中。
    联系方式:
    服务热线:400-655-8788
    官网:www.VBsemi.com

FCPF20N60T-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FCPF20N60T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCPF20N60T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCPF20N60T-VB FCPF20N60T-VB数据手册

FCPF20N60T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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