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PA504EM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: PA504EM-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PA504EM-VB

PA504EM-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET 技术手册概述
    本文档将详细介绍一款 P-Channel 30V MOSFET(型号PA504EM),并提供该产品的技术参数、产品特点、应用案例及使用建议。通过深入分析,帮助用户更好地理解和应用这款MOSFET产品。

    1. 产品简介


    P-Channel 30V MOSFET(型号PA504EM)是一款采用TrenchFET®技术的高性能电源MOSFET,适用于移动计算中的负载开关、笔记本适配器开关及直流/直流转换器等领域。

    2. 技术参数


    以下是P-Channel 30V MOSFET的技术参数表:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | -30 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | -5.6 | - | - | A |
    | 节点至环境热阻 | RthJA | - | 75 | 100 | °C/W |
    | 额定功率耗散 | PD | - | 2.5 | - | W |
    | 二极管反向恢复时间 | trr | - | - | 15 | ns |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | -1 | µA |
    这些参数涵盖了漏极-源极电压、连续漏极电流、节点至环境热阻、额定功率耗散等关键指标,为用户提供全面的产品技术参考。

    3. 产品特点和优势


    P-Channel 30V MOSFET具有以下显著特点和优势:
    - 高可靠性:经过100% Rg测试确保性能稳定。
    - 低导通电阻:不同栅源电压下的典型导通电阻仅为0.046Ω至0.054Ω,保证高效的能量转换。
    - 快速响应:快速开关速度降低功耗,提高效率。
    - 高温度耐受性:适用于-55°C到150°C的工作温度范围,保证在极端环境下可靠运行。
    - 高脉冲耐受能力:可承受高达18A的脉冲电流,适合需要高瞬态电流的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于各种便携式设备中的负载控制,确保稳定供电。
    - 笔记本适配器开关:提高电源转换效率,延长电池寿命。
    - 直流/直流转换器:实现高效稳定的电源转换,适用于工业和消费电子产品。
    建议用户在使用时注意散热设计,避免因过热导致损坏。同时,在高温环境中使用时需特别注意热管理。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准的SOT-23封装,可方便地安装于印刷电路板上。
    - 支持:厂商提供详细的技术文档和支持服务,确保用户能够轻松集成和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间运行后出现过热现象。
    - 解决办法:加强散热设计,如添加散热片或改善通风条件。

    - 问题2:启动延迟时间过长。
    - 解决办法:检查外围电路和驱动信号是否符合要求,调整驱动电阻。

    7. 总结和推荐


    P-Channel 30V MOSFET凭借其出色的性能和广泛的应用领域,在移动计算和其他高要求的电源管理系统中表现出色。建议在相关项目中优先选用,以获得最佳的系统性能和稳定性。
    通过以上内容,用户可以全面了解P-Channel 30V MOSFET的产品特性及其适用场景,从而做出更合理的选择和应用决策。

PA504EM-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5.6A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PA504EM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PA504EM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PA504EM-VB PA504EM-VB数据手册

PA504EM-VB封装设计

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500+ ¥ 0.3105
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