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FZ34-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: FZ34-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FZ34-VB

FZ34-VB概述

    FZ34-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    FZ34-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),额定电压为 60V,适合用于多种电子应用。此款 MOSFET 支持表面贴装工艺,适用于自动化生产线。其独特的技术规格使其适用于高效率的电源管理和电机控制等领域。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏极电流 \( ID \): 50A (TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 400mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 150W (TC=25°C)
    - 热阻抗 \( R{thJA} \): 62°C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 60V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0V~2.5V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 25μA (V{DS} = 60V, V{GS} = 0V)
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 190pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 未指定
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 未指定
    - 总栅电荷 \( Qg \): 66nC
    - 导通电阻
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10V \) 下为 0.024Ω
    - 在 \( V{GS} = 4.5V \) 下为 0.028Ω

    3. 产品特点和优势


    FZ34-VB MOSFET 具备以下独特功能和优势:
    - 无卤素材料:符合 IEC 61249-2-21 标准,有助于环境保护。
    - 逻辑电平栅驱动:适用于现代高速数字控制系统。
    - 快速开关特性:能够在高频率下高效运行,减少热损失。
    - 符合 RoHS 指令:环保且可回收利用。

    4. 应用案例和使用建议


    FZ34-VB MOSFET 广泛应用于电源管理、电机控制和通信设备等。以下是一些使用建议:
    - 在设计电路时,确保 \( V{DS} \) 和 \( I{D} \) 参数不超出最大限制。
    - 使用适当的散热措施,例如加装散热片以保持低温度运行,提高可靠性。
    - 对于高功耗应用,可以考虑并联多个 MOSFET 以分担负载。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FZ34-VB MOSFET 适用于标准 TO-220AB 封装,可方便地集成到现有设计中。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和支持,包括应用指南和样品服务,帮助客户加速产品开发。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:高温导致 MOSFET 过早失效。
    - 解决方案:使用适当的散热片,或者采用强制风冷方式,确保器件工作在安全温度范围内。
    - 问题 2:电路出现振荡现象。
    - 解决方案:检查电路布局,减小寄生电感和泄漏电感,增加接地平面面积以提高稳定性。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FZ34-VB MOSFET 是一款高性能、环保且具有广泛应用潜力的产品。其优良的电气特性和快速的开关性能使其成为许多现代电子应用的理想选择。建议客户根据具体需求进行评估和选择,以实现最佳性能。
    通过以上分析,我们可以看到 FZ34-VB MOSFET 不仅具备出色的电气特性,还具有环保和可靠性的优势,非常适合作为新一代电子产品的关键组件。

FZ34-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FZ34-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FZ34-VB数据手册

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FZ34-VB封装设计

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