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QM3015D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: QM3015D-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM3015D-VB

QM3015D-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: P-Channel MOSFET
    主要功能: 用于电压调节、开关电路及电源管理。
    应用领域: 广泛应用于通信设备、工业自动化控制、汽车电子系统等。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): -30V
    - 连续漏电流(ID):
    - TC=25°C: -60A
    - TC=125°C: -55A
    - 脉冲漏电流(IDM): -240A
    - 重复雪崩电流(IAR): -50A
    - 重复雪崩能量(EAR): 180mJ
    - 热阻(Junction-to-Ambient):
    - PCB Mount (TO-263): 40°C/W
    - Free Air (TO-220AB): 62.5°C/W
    - 门阈值电压(VGS(th)): -1至-3V
    - 零门电压漏电流(IDSS): -1μA
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=-10V, ID=-30A: 0.01Ω
    - VGS=-10V, ID=-30A, TJ=125°C: 0.015Ω
    - VGS=-10V, ID=-30A, TJ=175°C: 0.019Ω
    - VGS=-4.5V, ID=-20A: 0.0Ω
    - 转导电容(Ciss): 1565pF
    - 输出电容(Coss): 715pF
    - 总门电荷(Qg): 160nC
    - 门-源电荷(Qgs): 32nC
    - 门-漏电荷(Qgd): 30nC

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 符合RoHS标准,环保且无铅,适用于现代电子产品需求。
    - 宽工作温度范围: 能够在-55°C到175°C范围内正常工作。
    - 低导通电阻: 在各种工作条件下都能保持较低的导通电阻,提升效率。
    - 高脉冲电流处理能力: 可以承受高达240A的脉冲电流,适合大功率应用。
    - 低功耗: 较低的热阻,减少散热需求,提高能效。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 通信设备: 作为电源开关,提高通信系统的稳定性和效率。
    - 工业自动化控制: 用于精密控制系统,提高控制精度。
    - 汽车电子系统: 作为低压调节器,增强系统稳定性。
    使用建议:
    - 合理散热: 高功率应用时需注意良好的散热设计,避免过热损坏。
    - 匹配电路设计: 确保外围电路与MOSFET参数匹配,提高整体系统稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与现有的PCB布局和连接方式兼容,方便集成。
    - 厂商支持: 提供详细的技术文档和技术支持,确保用户能够顺利使用和维护产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 过载电流损坏怎么办?
    - A: 请确保外部电路设计符合MOSFET的额定电流,必要时增加外部保护电路。
    - Q: 温度过高如何处理?
    - A: 检查散热设计,增加散热片或风扇以改善散热效果。
    - Q: 启动时间长怎么办?
    - A: 确认驱动信号是否正常,适当调整驱动电阻以缩短启动时间。

    7. 总结和推荐


    综述:
    QM3015D P-Channel MOSFET 具有出色的电气性能和宽广的工作温度范围,适合于各种高要求的应用场合。其低导通电阻和高脉冲电流处理能力使其在高功率应用中表现出色。综合考虑其成本效益,强烈推荐使用。
    推荐使用场景:
    - 适用于通信设备、工业自动化控制和汽车电子系统等高可靠性要求的应用场景。
    通过以上解析,可以看出QM3015D是一款具有高性能和广泛应用前景的P-Channel MOSFET。希望本篇解析对您有所帮助。

QM3015D-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM3015D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM3015D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM3015D-VB QM3015D-VB数据手册

QM3015D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
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