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2SJ211-T1B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-1.5A,RDS(ON),500mΩ@10V,560mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 2SJ211-T1B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ211-T1B-A-VB

2SJ211-T1B-A-VB概述


    产品简介


    本产品为一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为2SJ211-T1B-A。该MOSFET具有高集成度、低导通电阻等特点,适用于各种电子设备。具体来说,这种P沟道MOSFET主要用于直流电源转换器中的主动钳位电路,以及其它需要高能效转换的应用场合。

    技术参数


    以下是该MOSFET的主要技术参数和性能指标:
    | 参数 | 规格 |

    | 最大耐压 (VDS) | 100 V |
    | 最小导通电阻 (RDS(on)) | 0.50 Ω (VGS = -10 V) |
    | 最大持续漏极电流 (ID) | -1.5 A |
    | 转移电容 (Ciss) | 520 pF |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 1.5 nC |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | -3.0 A |
    | 最大单脉冲雪崩电流 (IAS) | 4.5 A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 (EAS) | 1.01 mJ |
    | 最大功率耗散 (PD) | 2.0 W (TA = 25 °C) |
    | 绝对最大结温 (TJ) | -55 °C 至 150 °C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)):该MOSFET的导通电阻仅为0.50 Ω,即使在较高的工作温度下也能保持较低的导通损耗,从而提高了系统的整体效率。
    2. 小体积设计:采用TO-236 (SOT-23) 封装形式,非常小巧,便于安装和散热,适合在空间受限的应用中使用。
    3. 可靠性高:提供绝对最大额定值,确保在极端条件下的稳定性和可靠性。
    4. 无卤材料:符合IEC 61249-2-21标准,适用于对环保有严格要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:在直流电源转换器中用于实现主动钳位电路,提高转换效率和稳定性。
    - 使用建议:
    - 在设计时应注意散热问题,确保在较高负载条件下,器件不会过热。
    - 确保在使用过程中MOSFET的栅源电压不超过±20V,以避免损坏。
    - 考虑到MOSFET的工作温度范围较宽,可应用于多种不同温度环境下的设备。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他SOT-23封装的元器件和电路板直接兼容,易于组装和调试。
    - 支持:VBsemi公司提供详尽的技术文档和客户支持,包括在线技术论坛、电话咨询以及专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确测量MOSFET的导通电阻?
    - 解决方案:使用万用表的欧姆档进行测量,确保栅源电压 (VGS) 处于额定范围内。
    2. 问题:在高电流环境下MOSFET发热严重怎么办?
    - 解决方案:使用散热片或风扇进行强制散热,必要时增加外接散热器。
    3. 问题:如何确认MOSFET的可靠性和使用寿命?
    - 解决方案:通过长时间的实际运行测试,确保在不同的工况下都能正常工作。

    总结和推荐


    综上所述,2SJ211-T1B-A P沟道MOSFET在低导通电阻、小体积、高可靠性和无卤材料等方面表现优异,适用于各种需要高效能转换的电子设备中。其在广泛的应用环境中表现出色,且具备良好的兼容性和完善的售后服务支持。因此,推荐在需要高效率和高可靠性的应用场景中选用此款产品。

2SJ211-T1B-A-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@10V,560mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 1.5A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ211-T1B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ211-T1B-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ211-T1B-A-VB 2SJ211-T1B-A-VB数据手册

2SJ211-T1B-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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